中科院理化所开发成功煤层气分离和液化工艺

中科院理化技术研究所开发成功煤层气分离和液化流程，处理后的液化天然气纯度可达99％以上，排放气中甲烷含量小于1％，解决了煤层气利用难题。     

Analysis of S-SEED''s characteristics in optical switch

This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device （S-SEED）, and applies the Kirchoff＇ s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED＇s switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED＇s voltage-time （V-T） and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED＇s switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED＇s switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED＇s switch characteristics.     

上海机械科技论坛理化检验学术交流会成功举行

第四届上海机械科技论坛有关理化检验专业的学术交流会于2007年7月27日在上海浦东新国际博览中心举行，交流会由上海市机械工程学会理化检验专业委员会主办，来自上海各单位从事理化检验工作的近30位专业人士参加了交流会。     

硫酸锆、碳酸锆的性质、应用及生产技术综述

综述了硫酸锆，碳酸锆产品的性质，生产技术及应用，收集整理了国内外部分厂家和公司该产品的化学指标与生产技术；介绍了“分步液相沉淀法”生产工艺，与“一步法”生产工艺相比，其具有流程短，投入少，操作简单，制造成本低等优点。     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

世界最长的并网试验运行超导电缆在甘肃白银研制成功

由中国科学院电工研究所与甘肃长通电缆科技股份有限公司、中国科学院理化技术研究所联合研究开发的国家十五“863”重大项目——75m、10．5kV／1．5kA三相交流高温超导电缆顺利完成系统集成，日前通过了系统检测和调试，即将投入并网试验运行。     

金属力学性能测试进展

1 金属力学性能测试的基本任务和发展过程 金属力学性能测试乃是通过各种力学试验及相学测量以求得金属的各种力学性能判据(指标)的实验技术。金属力学性能系研究金属受力后表现出的各种不同行为和发生的现象的学科;由于作用力特点的不同及金属受力状态厂所处环境不同,使金属受力后表现出各种不同的行为,显示出的各种力学性能。金属力学性能的高、低是表征金属抵抗各种损伤作用能力的大小、是评定金属材料质量的主要判据,也是金属制件设计时选材和进行强度计算时的主要依据。力学性能测试,对于金同材料检验、研制和开发新材料、改进材料质量,最大限度发挥材料潜力、进行金属制件失效分析、确保金属制件的合理设计、制造、安全使用和维护,都是必不可少的手段。 金属材料在一定条件下具有各种独特的优异性能是工业中最广泛使用的材料。随着人们广泛使用金属材料测试金属力学性能的方法但逐步建立和完善起     

α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。     

聚合物基纳米复合材料的合成、性能及应用前景

介绍了聚合物/无机纳米复合材料、聚合物/聚合物纳米复合材料的制备方法、性质、发展方向以及应用前景。对聚合物基纳米复合材料今后的发展提出了一些自己的见解。