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992.
993.
分析了在霍尔实验中的一种结果修正方法,从而使实验更加准确,为准确测量各类材料的霍尔特性提供了有力的依据。 相似文献
994.
995.
研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应。结果表明,在低频脉冲电流下,巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z/Z先随退火电流密度的增加而增强,当电流密度为104A/mm^2时,△Z/Z达到最大值53.8%,此后随电流密度增大,GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响,发现HK有利于提高GMI效应的峰值,但同时存在一个临界值,当超过这个值时,GMI效应的峰值减弱。 相似文献
996.
在420~650℃的温度范围内,研究了PM FGH95高温合金在应变率0.0001~0.01 s-1范围内的拉伸性能及在不同应力比R=-1及R=0下的低周疲劳性能.拉伸试验结果表明:在此温度范围内,应变率对弹性模量、拉伸屈服强度及塑性模量的影响可以忽略不计;并且应变率自0.0001 s-1增大至0.01 s-1时,弹性模量、拉伸屈服强度及塑性模量受温度的影响也不明显.PM FGH95合金受材料微结构的影响很大,材料含有的微缺陷对其力学性能有非常不利的影响.LCF试验结果表明:PM FGH95合金是循环硬化材料.当应力比R=-1时,温度对LCF寿命的影响很小;但在应力比R=0时,LCF寿命受温度的影响很大,且随着温度的增加材料的低周疲劳寿命减小.SEM断口扫描发现,断裂表面有很多的解理面,但没有疲劳条带,且此断裂模式下没有明显的塑性变形,所以FGH95合金的低周疲劳寿命几乎是由裂纹萌生阶段决定的. 相似文献
997.
淬火速率对AlZnMgCu(Zr)合金断裂行为的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
通过室温力学性能测试,光学显微镜、扫描电镜和透射电镜研究了淬火速率对AlZnMgCu(Zr)合金断裂行为的影响.结果表明:含Zr小于0.1%合金随着淬火速率的降低,由穿晶破断和沿晶开裂的混合型断裂逐渐转变成沿晶断裂;其主要原因是淬火速率降低使晶界无沉淀析出带(PFZ)宽化.含Zr大于等于0.1%的合金随着淬火速率的降低由穿晶破断为主的断裂逐渐转变成沿晶开裂和穿晶剪切的混合型断裂;沿晶断裂的产生主要是由于晶界无沉淀析出带宽化;穿晶剪切主要是由于慢速淬火过程中晶粒内部析出了大量粗大的η平衡相. 相似文献
998.
从产生齿轮传动振动的根源--力出发.对造成齿轮增速传动与减速传动振动差异的原因进行了分析.通过对齿面摩擦力形成的压杆效应指数计算公式的推导,揭示了压杆效应指数与齿轮传动振动之间的关系,同时还给出了齿轮传动增速与减速振动相对强弱的判别公式,通过模型试验得到了与理论分析基本一致的结果. 相似文献
999.
The effect of a higher-valent dopant like Sb on the iodination rate of lead under normal and short-circuit conditions in iodine pressure of 0.615–6.578 kPa and in the temperature range of 423–523 K has been investigated. Like pure Pb, Sb-doped Pb also follows the parabolic law of film growth. The isothermal parabolic rate constants are found to be enhanced due to the presence of Sb. The iodine-vapor-pressure dependence of the isothermal parabolic rate constant has been observed to be kppI
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. This has been explained on the consideration of electron-hole migration across the film as the rate-limiting step. The activation energy for iodination of Sb-doped Pb under normal condition is estimated to be 64 kJ · mol–1 in an iodine pressure of 0.615 kPa. The rate of iodide-film growth has been found to increase considerably under a short-circuit mode of experiments. Such observations have been explained with the concept of ion migration as the rate-limiting step for the film-growth process. The iodine pressure dependence of rate constants under short-circuit conditions is observed to be kpI
2
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, associated with an activation energy value of 51 kJ mol–1. The effect of putting additional resistances in series to the short-circuit Pt path during iodination of Sb-doped Pb is found to be similar to that observed for pure Pb. Results of the present study have been explained considering the prevalence of Schottky-Wagner type of point defects in the lead-iodide film. Wagner's electrochemical potential gradient has been confirmed to be the main driving force for the film-growth process. Iodide films have been characterized by SEM, EDS, EPMA, XRD, and AES analyses to substantiate the kinetics results. 相似文献
1000.