硅基纳米b-SiC量子点列阵的制备

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上，其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900℃的氮气氛中退火20 min，使C60分解成活性碳，与周围的硅原子结合生成碳化硅，碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点)，C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.     

低变质烟煤新型气化联产高品质碳化硅实验研究

笔者提出了一种低变质烟煤新型气化的方法。以青海石英砂为固体气化剂,将陕北低变质烟煤转化成了较高热值的煤气,研究了混合煤气的组成、浓度、热值、酸碱性、气流量、集气空间气体压力和温度分布等特征参数,分析了混合煤气的用途,探讨了气化时间对SiC副产品的产量和质量的影响,用XRD对25h气化所得SiC副产品的品质和结晶形态进行了分析。     

化学激励燃烧合成SiC超细粉末的工艺和机理研究

研究了利用聚四氟乙烯（-C2F4-）n作活化剂时Si/C混合粉末在氮气中的燃烧行为，结果表明：少量聚四氟乙烯的加入就可有效激励Si-C弱放热反应，使之以燃烧合成方式生成SiC，氮气参与反应时可进一步提高燃烧反应温度，并且首先以气相-晶体机制生成Si3N4，然后在反应前沿分解为SiC，调整工艺参数可获得亚微米级SiC粉末，综合X射线衍射、差热/热量分析及扫描电镜观察，提出了Si-C-N-(-C2F4-）n体系中的燃烧反应机制，并从热力学角度对实验结果进行了讨论。     

热压辅助先驱体裂解制备Cf/SiC复合材料的研究

以聚碳硅烷为先驱体 ,采用先驱体转化法制备三维编织Cf SiC复合材料。研究发现 ,第一次裂解时采用热压辅助可以明显提高材料的致密度和力学性能。第一次在 160 0℃、10MP的条件下热压裂解 60min ,后续真空浸渍—常压裂解处理五个周期所制得的材料具有较高的力学性能 ,其弯曲强度和断裂韧性分别为 5 64MPa、16MPa·m1 2 。讨论了制备工艺对材料结构和性能的影响     

逆反应烧结制备铝电解槽用氮化硅-碳化硅复合材料

采用常规的反应烧结工艺制作铝电解槽侧壁材料用Si3N4／SiC时存在不足，为此，提出应用逆反应烧结工艺进行生产性试验的设想。在制备Si3N4／SiC复合材料时，常规反应烧结是以Si和SiC为原料经氮化烧结；逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料，首先使Si3N4反向反应生成活性氧化物后进行烧结。结果表明：该工艺特点是新生的Si2N2O或SiO2进行活性烧结；制品具有良好的物理和化学性能。制品结构紧密，新生氧化物或亚氧化物紧密地充填在Si3N4和SiC颗粒间界，新工艺制备的砖的抗冰晶石熔体侵蚀的性能优于常规工艺烧成砖，是铝电解槽侧壁的良好材料。     

莫来石-氧化锆-硅-碳系统的合成和性能

以不同比例的碳化硅合成物为基础的莫来石-氧化锆-碳化硅,由像锆粉末、硅线石粉末、氢氧化铝凝胶、铝粉和碳化硅颗粒初级粒子材料相互作用生产而成。这些材料混练后成型,在1450℃、1550℃和 1650℃的温度下烧结。观察了烧结收缩、体积密度、显气孔率和比重。通过扫描式电子显微镜和X射线检验来研究烧结物的显徽结构和桕的发展。人们发现莫来石结晶的相关比例和生长与碳化硅含量和烧结温度有关。     

镀液流速对碳化硅微粒与铜共沉积的影响

本文利用易于控制流速的旋转圆盘电极研究了SiC微粒与Cu的共沉积。得出了在不同镀液流动速度下镀得的复合镀层中微粒含量与镀液中微粒浓度以及与电流密度之间的关系曲线,进而探讨了镀液流速对Cu-SiC共沉积的影响。镀液流速通过影响微粒与阴极之间的弱吸附影响微粒在阴极表面的停留,从而对Cu-SiC复合电沉积过程产生很大影响。     

对引进西德碳化硅棚板的消化吸收

光明瓷厂从西德累德哈姆公司引进了一条隧道窑,包括全部窑具,为了使窑具实现国产化,进行了研制.经过近二年来的工作,达到了预期的目的,现在的窑具已经全部实现国产化.本文简要介绍了工艺生产流程,并从实际使用效果、经济成本分析及显微结构机理方面,比较了西德产品及国产产品的异同,尤其是通过显徽结构的分析,从理论上探讨了SiC质窑具的损坏机理,并提出了相应的解决措施.