激光熔覆铁基合金涂层的组织及耐蚀性能

采用激光熔覆技术在DH36钢基体上制备铁基合金涂层,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、显微硬度计等手段对涂层的物相结构、显微组织和显微硬度进行分析,采用极化曲线对比分析Fe基涂层和基体在人工海水中的耐蚀性。结果表明:涂层和基体结合良好,涂层中生成(Cr,Fe)_7C_3、Fe_3C硬质相和双重致密的氧化膜,涂层的结合区主要为平面晶和定向向上生长的柱状晶,中上部为细小的树枝晶,由于合金元素的固溶强化、碳化物的弥散强化和细晶强化的共同作用,涂层的平均显微硬度为1 026.11 HV_(0.2),为基体硬度的5.21倍,涂层的耐蚀性明显改善。     

纳秒激光微刻蚀取向硅钢的形貌特征及磁性能

为有效降低取向硅钢铁损、改善其磁性能，采用红外纳秒激光对取向硅钢进行微刻蚀试验。利用3D共聚焦显微镜、扫描电镜与能谱仪研究典型工艺参数下的硅钢表面烧蚀形貌特征及表面质量，利用铁损仪测试不同刻蚀参数下取向硅钢的铁损、相对磁导率等磁性能参数及动态磁滞回线，对比分析刻痕前后磁性能的变化行为、规律及磁滞特性。结果表明：激光刻痕后，硅钢的铁损、相对磁导率、矫顽力及剩磁等性能得到明显改善，铁损的改善表现在高磁感强度下、相对磁导率的改善表现在低磁场强度下，回线特性得到优化。扫描速度为800 mm/s、脉冲能量为0.25 mJ时，刻痕边界呈近似规则的“波浪线”，且刻痕表面质量较高，铁损降低高达11.6%、剩磁降低12.8%等；刻痕后相对相对磁导率明显提高，提高约为5.7%~15.16%，最大可达2.598×10⁴。激光频率与扫描速度的耦合关系是影响刻痕边界形状与磁畴细化效果的重要因素。     

沉积温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响

利用Nd-YAG激光器(波长为1064nm,频率为10Hz)做光源,采用纯金属锌靶,以Si(111)为基体在有氧的气氛中通过激光烧蚀锌靶表面来制备氧化锌薄膜,研究基体温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响.通过XRD和AFM原子力显微镜来表征氧化锌薄膜的结构和表面形貌,其光学性质由光致发光谱来表征.结果表明:在450-550 ℃的条件下沉积的ZnO薄膜具有c-轴择优取向,500℃时c-轴取向最明显.具有c-轴取向的ZnO薄膜具有强的紫外光发射和弱的绿光发射,发光中心在518nm处的黄绿光发射主要归因于电子从导带底部到氧位错缺陷OZn能级之间的跃迁.     

激光冲击加工表面涂层厚度的优选

研究了激光冲击技术中的涂层厚度问题，激光与涂层相互作用机理和涂层本身性能之间的关系，推导出涂层的气化速度及最佳理论厚度，并对涂层厚度的影响因素进行了分析和修正，为在激光冲击中正确应用涂层厚度计算公式提供了依据。     

30CrMnSiA钢激光相变硬化层组织

对30CrMnSiA钢进行了激光相变硬化处理，研究了相变层的组织和硬度特征。试验结果表明，30CrMnSiA钢表面相变硬化层分为完全淬硬层、过渡层和受热影响的基体组织，硬化层的显微组织明显细化，其表面层的硬度高达(685～775)HV，比高频淬火的硬度提高了30％。     

国外激光熔覆材料、工艺和组织性能的研究

综述了国外激光熔覆材料、工艺参数和组织性能的研究 ,概括了铁基、镍基、钴基合金、不锈钢、钛、铝、铜、青铜合金、陶瓷以及复合材料等激光熔覆的发展     

铝表面激光熔覆陶瓷原理和工艺的研究

研究了激光熔覆陶瓷的物理过程，发现原来熔覆合金的模型不符合激光熔覆陶瓷的情况，提出了新的激光熔覆模型，研究了激光熔覆工艺参数对陶瓷涂层质量的影响，得出了获得良好涂层的工艺条件，在铝基体表面成功地获得了均匀致密的ＳｉＯ２涂层和Ａｌ２Ｏ３涂层，涂层内部致密无缺陷，涂层与铝基体结合良好。     

激光熔覆含SiC金属陶瓷涂层显微组织特征

采用连续ＣＯ２激光器在钢表面进行熔覆含ＳｉＣ金属陶瓷涂层。对不同工艺条件下激光熔属层组织结构、成分与硬度进行了研究，对试验结果和凝固过程进行了传热分析。     

用Nd（钕）YAG激光辅助磨削

高性能的激光可以用来辅助磨削、修整和热处理，激光辅助修整优点是它的工作力是自由的，而且不需昂贵的修整装置。在激光辅助磨削过程中，砂轮接触工件之前，工件表面就被直接加热，这种可减少工件表面的温度梯度及热损伤。而且采用此方法磨削时具有较高的切削率，本文阐述了此方法的基本原理，介绍了激光辅助修整树脂结合剂ＣＢＮ砂轮以及激光辅助加工金属和陶瓷零件的结果。     

复合尼龙粉末的选择性激光烧结成型技术

介绍了尼龙粉末材料的激光烧结成型技术研究现状,研制开发了一种适用于激光烧结快速成型的复合尼龙粉末材料(Composite-Nylon Powder-CNP1),并对其主要性能进行了测试;在优化的工艺实验条件下,制作了激光烧结成型尼龙件,进行了力学性能测试,其强度和韧性指标接近于国外同类产品水平,可以满足新产品原型快速开发的要求.