降低正交频分复用信号峰均功率比的方法

正交频分复用（OFDM）的一个主要缺点是有很高的峰均功率比，现在已有许多解决方案用来降低OFDM信号的峰均功率比。着重对一些降低OFDM信号峰均功率比的方法进行描述，并分析每一种方法的优缺点及其应用前景。     

硅格应CIS封装市况不佳，第二季营收下降

日前，作为全球功率半导体主要生产厂家的Psi在成都出口加工区为其首家在中国设立的新厂举行了开工典礼。     

胶态分散凝胶的渗流特性研究

采用单管岩心对比了实验室研制的两种抗盐性能优良的胶态分散凝胶体系及相应聚合物溶液在天然岩心中的注入性和注水后的渗流特性；采用双管非均质模型研究了交联体系在高低渗透层中的流动分布及液流改向能力。实验结果表明：(1)交联体系在多孔隙介质中的渗流规律不同于单纯聚合物，其渗流阻力远大于同浓度的聚合物溶液，又渗流阻力最大值出现在后续水驱阶段。(2)抗盐P体系在岩心中比MO4000体系成胶快，成胶强度大，连续注入时压力上升快，注入压力高(最高压力大约是后的4倍)，可能存在端面堵塞。(3)交联体系对非均质地层具有调节作用，能改善高低渗透层的吸水状况，特别是对级差相对较小的地层调节效果更好。     

高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

一次量子通信QKD和QA协议

提出一种通过一次量子通信同时实现密钥分发(QKD)和量子认证(QA)的方案.此方案基于GHZ态的相关性,事先在|△＞态制备n对处于纠缠态的量子位.最后证明了此协议是有效和绝对安全的.     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

利用非Bell基测量实现三粒子W态的隐形传送

研究非Bell基测量的未知三粒子W态的隐形传态方案.先利用原子和腔场的共振相互作用制备未知三原子W态.接着,利用两原子同时在强经典驱动场驱动下和单模腔场发生相互作用,产生态的演化,来制备EPR对量子信道.最后利用和制备量子信道同样的方法来实现未知三原子W态的隐形传送.在传送过程中,可忽略腔场热作用和腔延迟作用的影响.传送成功的总几率为1.     

不断增强RF功率测量

精确的RF功率管理是现代无线发射器的热点话题，从基站的功率放大器保护到移动应用中的延长电池使用时间，它都有很多的优点。RF功率监测器，比如对数放大器，允许RF功率测量系统在一个较宽的范围监控和动态调整发射功率。尽管近几年来功率监测的精度已经有了很大改进，但是对于像那些需要高功率发射的应用甚至受到0dB功率监测误差微小变化引起的显著影响。因此这也促使检测器性能不断提高。