通信电源蓄电池的日常维护使用和管理

蓄电池是组合通信电源系统的重要组成部分,所占的投资比例不小,加强对蓄电池的管理,改善其使用状况,从而有效地延长蓄电池的使用寿命,具有重要的意义.目前通信电源所带的蓄电池大多是先进的阀控式密封铅酸蓄电池,这种电池的每节单体电压一般有2 V,6 V,12 V三种,在使用时将多节单体串连,组成48 V的蓄电池组.     

a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

低差错平底特性的非规则LDPC码的设计

介绍了非规则LDPC码的发展并给出了其优势及缺点，重点论述用ACE算法来构造非规则LDPC码从而降低其差错平底特性。对降低非规则LDPC码的差错平底特性的其它方法提出了展望。     

压敏电阻及其应用

压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外     

单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能.     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。