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101.
叠前地震数据优化处理技术分析   总被引:13,自引:6,他引:7  
由于叠前时间偏移成像是在叠前数据上进行的,因此对数据的质量要求较高。针对这一问题进行了数据优化处理技术研究,研究的基础资料是胜利油田渤深6区块的三维地震数据,首先对资料的质量进行了分析一由于是拼接资料,因此存在着能量不均衡、覆盖次数不均匀、坡形不一致以及各类干扰发育等问题;然后针对这些问题研究了时间-空间域内分频随机噪声衰减、频率一空间域相干噪声衰减、波形匹配处理和数据拟合三维随机噪声衰减等4种处理方法,分别取得了很好的处理效果;在对实际资料进行数据优化处理时,根据资料的特点采用了合适的组合方式,处理后资料的品质得到了较大提高,相干噪声、随机噪声得到了有效衰减,波形一致性得到了恢复,中、深层有效频率和有效能量得到了加强。  相似文献   
102.
丛亮 《通信世界》2006,(39A):19-19
在博弈论中有一种非合作博弈叫作“零和博弈”.它是指博弈参与者中一方获得的收益必然是另一方的损失.即各博弈方得益之和为零。在零和博弈中.各博弈方决策时都以自己的最大利益为目标.结果是既无法实现集体的最大利益.也无法实现个体的最大利益。除非在各博弈方中存在可信性的承诺或可执行的惩罚作保证.否则各博弈方中难以存在合作。[编者按]  相似文献   
103.
主要介绍了2003年EAGE岩石物性测试分析技术取得的新进展。从本届年会看,岩石物理内容主要涉及岩石物理模型建立、时延地震岩石物理与岩石各向异性分析、喷射频率和流体饱和度及其分布预测、岩石物理模拟等新方法、新技术、新成果。在充分考虑岩石物理受当地地质因素影响后,提出岩石物理模版概念,目的是为地质专家方便对岩性和流体的解释提供一种工具。  相似文献   
104.
聚合物熔体的非等温平板收缩流动的数值模拟   总被引:6,自引:0,他引:6  
用有限元法模拟了Carreau流体在4:1平板收缩口模中的非等温挤出流动,采用3节点的三角形单元对速度、压力和温度进行等阶插值,运用特殊的罚函数处理流体的不可压缩条件,解决了压力场的数值振荡问题,并用改进的Newton迭代法对非线性方程进行求解,成功地计算了Carreau流体在平板收缩流动中的速度、压力、粘度以及应力的分布,同时得到温度场的分布,计算的应力分布与实验的结果及Renardy的分析结构相符。  相似文献   
105.
为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较  相似文献   
106.
IR与RS-232的匹配技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
现代电子设备通常包含最新的数据通信接口,以实现更高的数据率或增进用户的便利性。红外技术(IR)是数据通信接口的一个很好例子,但有时单独使用这种最新接口还是不够的,设备还需要与采用传统接口如RS-232的老设备兼容才会被用户所接受。因此,常见的红外技术和RS-232共存于同一设备中。  相似文献   
107.
本文介绍最新激光电子散斑干涉技术ESPI与Shearography激光错位检测技术的基本原理及其应用.该技术足近十年间发展起来的最新的光测技术,它们的特点是非接触式全场三维测试,适用于新材料研究、电子元器件与构件的力学性能试验、振动测试及无损检测.国外的应用表明,ESPI技术可以提供快速、全场、三维的测试信息,能解决许多目前电测方法所不能解决的复杂问题,是目前具有广泛工程应用前景的先进的光测技术.  相似文献   
108.
频率步进雷达关键技术的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
毫米波频率步进雷达在精确制导武器中具有重要意义,一维距离像、运动补偿以及基于散射中心的目标识别是该雷达系统信号处理中的几个关键问题。综述了这些关键问题的基本概念、相关技术、研究现状以及发展趋势。  相似文献   
109.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
倪昊  徐元森 《半导体学报》2003,24(5):466-471
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.  相似文献   
110.
X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。  相似文献   
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