平行板多层介质径向波导的本征模

对平行板多层介质径向波导（径向均匀）进行分析是采用径向模式匹配法分配介质加载圆柱腔的基础。从理论上首先采用了赫兹矢量法分析了平行板多层介质径向波导TE^Z模和TM^z模的场分布，然后利用Sturm-Lowville本征值理论讨论了本征模横向矢量场的正交完备性。     

钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析

就形成钛酸钡陶瓷PTC效应的表面态进行阐述,分析了在居里点(TC)以上由表面态和介电常数在共同作用下的电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷的表面态的组成进行研究,认为在钛酸钡PTC陶瓷中表面态主要由钡空位引起;提出一种直接测量表面态密度的方法.     

片式PTC热敏电阻瓷片再氧化工艺的研究

以乙酸钡(Ba(CH3COO)2)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸钇(Y(NO3)3.6H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法制备掺1.6%(质量分数)施主钇(Y)的钛酸钡nm粉体.用此粉体制备叠层片式正温度系数热敏电阻(PTCR)用瓷片,其中用氮化硼(BN)和钛酸钡作为玻璃相原料.利用流延方法成型,流延生胚在体积分数为97%的N2和体积分数为3%的H2的还原气氛下烧结成瓷.通过采用不同的再氧化温度和时间去氧化烧成的瓷片,研究再氧化工艺对正温度系数(PTC)瓷片电性能的影响.结果显示:室温电阻率随再氧化温度的升高先增加后减小,而PTC效应逐渐增加;室温电阻率随再氧化时间的增加会出现一个最小值,再氧化时间对PTC效应影响不大;样品的耐压值随着再氧化温度或时间的增加而增大.     

（Ca1-xNdx）[（Li1／3Nb2／3）0．95Zr0．15]O3＋δ微波介电特性陶瓷

研究了A位Nd3 取代对(Ca1-xNdx)[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]3 δ(0.0≤x≤0.2,CNLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0.00≤x≤0.03时,体系为单一钙钛矿相,随Nd3 摩尔分数的增加,品质因素的值先增大,然后因B位l∶2有序度在x=0.02处下降而开始减小.分析了谐振频率温度系数随容忍因子的变化关系.当x=0.03时,陶瓷微波介电性能最佳:相对介电常数为32.7,品质因素为15 880 GHz,谐振频率温度系数为-6.4×10-6/℃.     

La_2O_3施主掺杂(MgCoNi)O系氧敏材料的高温缺陷化学分析

讨论了少量Ｌａ２Ｏ３施主掺杂的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系样品在不同测试温度下的电导与氧分压关系．实验发现，施主杂质有两方面的作用：当施主含量较低时，以缺位补偿为主；另一方面，施主含量较高时，电子补偿占优，随着施主含量的增加，由缺位补偿向电子补偿过渡，用阳离子缺位扩散控制机制解释了施主杂质对晶粒生长的影响     

改性 PbTiO_3 压电陶瓷工艺的研究

针对改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷制造过程中ＰｂＯ挥发严重的问题，通过降低烧结温度和增加ＰｂＯ气氛两种方法对系统的压电性能进行了研究，得到了烧结温度低、ＰｂＯ挥发量低、压电性能优良的改性ＰｂＴｉＯ３陶瓷．对高含铅量陶瓷材料的研究有指导意义     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

限流用陶瓷及有机PTCR元件的可靠性研究

对用于程控交换机的陶瓷和有机ＰＴＣＲ限流元件进行了温度循环，电流冲击及耐雷击波冲击等几项可靠性试验，对两种限流元件失效的理化模型进行了初步的分析，在失效判据电阻变化相同及试验频率相同的情况下，陶瓷元件寿命优于有机ＰＴＣＲ元件。     

多层片式PTCR注浆成型工艺的研究

研究了BaTiO3基的片式PTCR陶瓷的注浆成型工艺，包括浆料的制备、粘合剂PVA用量及与粘度等之间的关系，采用PMAA-NH4为分散剂，加入适量PVA(质量分数wp为1％～2％，占粉料)可获得固相质量分数w为75％～80％的浆料，后烧成的瓷片与轧膜成型、(Gelcasting(凝胶注膜)成型方法获得的瓷片进行了主要性能比较，同时采用注浆成型工艺成功制备出了多层PTCR热敏电阻器。