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101.
提出了溅射-气体-聚集共沉积制备金属/金属(介质)复合团簇镶嵌薄膜的新方法,并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Fe/Ag及CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明,样品中Fe(Cu)团簇都较好地镶嵌于Ag(CaF2)基质中,其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现,与块材相比,Fe/Ag样品中Fe团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩,而Cu/CaF2样品中Cu团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。 相似文献
102.
103.
包气带中不同示踪源层条件下核素迁移对比试验 总被引:2,自引:1,他引:1
为研究不同示踪源层材料对水份运移和核素迁移的影响,开展了以石英砂和黄土分别为示踪源层载体时Sr、Nd、Ce在包气带中迁移的对比试验。试验历时470d,在两种源层条件下各取土芯样4次。试验结果表明:在喷淋强度为5mm/h、3h/d条件下,Nd和Ce无论在石英砂示踪源层还是黄土示踪源层中浓度峰位均没有明显向下迁移;对于Sr,在黄土示踪源层中,470d后其峰位向下迁移约15cm(按质心计算为10cm左右),而从石英砂示踪源层中向下迁移不明显(按质心计算,迁移约2.7cm),只是峰位有些展宽。上述结果表明,极薄(7mm)的细石英砂层也能对非饱和入渗水产生明显屏流作用,使得核素从石英砂示踪源层中向下迁移速度减慢。 相似文献
104.
105.
介绍了高可靠电镀Ni/Au工艺在PTFE微波印制电路上的应用,并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ni/Au镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比,在软基材PTFE敷铜箔板上镀Ni/Au工艺能大大提高微波电路的可焊性,高温稳定性和长期可靠性,并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。 相似文献
106.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 相似文献
107.
用DMA和DSC研究了NBR和氢化NBR对PVC/HDPE共混体系的增容作用。由于增容剂在相界面与PVC和HDPE所产生的作用改变了界面分子的作用形式,使体系中PVC和HDPE相的内耗峰内移。而DSC的结果表明,增容剂降低了体系中结晶相HDPE的熔点,说明增容剂增加了PVC/HDPE的相容性。 相似文献
108.
109.
110.
中日栉孔扇贝杂交子一代群体的遗传变异 总被引:6,自引:0,他引:6
采用不连续聚丙烯酰胺凝胶电泳技术,研究了中国栉孔扇贝和日本栉孔扇贝的两组杂交子代群体的14个位点24个等位基因。将它们各自的自交子一代作为亲本的参照组,对这四组子代群体进行了遗传变异分析,结果表明:四组群体具有相同的基因位点控制同工酶的表达,但各位点等位基因的频率有所不同。统计结果表明:杂交群体的遗传变异明显高于自交群体的遗传变异,四组群体的多态位点比例(P.99)分别为36.36%(CP中自交组)、30.77%(JP日自交组)、30.77%(JFCM日雌中雄杂交组)、30.77%(JM-CF日雄中雌杂交组),平均杂合度观测值(Ho)分别为0.1273(CP)、0.1055(JP)、0.1536(JFCM)、0.1727(JMCF),各位点平均有效等位基因数(Ae)分别为0.7318(CP)、1.6718(JP)、1.6955(JFCM)、1.6927(JMCF)。杂交优势已初步显示出来。 相似文献