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91.
张茜 《四川烹饪高等专科学校学报》2007,(2):11-13
川菜菜系不是短时间内突然出现的,它有一个萌芽、雏形(开始形成)、成熟和发展的过程。本文尝试通过解析川菜经典食谱之一的曾懿《中馈录》,来探讨川菜菜系雏形的形成。 相似文献
92.
无头轧制技术是近几年在轧钢行业得以成功应用的一种新的轧制工艺,介绍了棒线材无头轧制系统的组成,并对其主要工艺过程进行了分析. 相似文献
93.
94.
Matlab在“计算机辅助电路分析”中的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
"计算机辅助电路分析"课程,是通过计算机仿真实验来训练学生分析和解决电路问题的能力.实践证明,将Matlab软件,特别是其中的Simulink仿真模块作为电路分析工具,引入到计算机辅助电路分析课程教学中,收到了良好的教学效果.本文以二阶电路阶跃响应问题的求解为例,介绍了辅以Matlab的五种求解方法,并对这五种方法的特点进行了比较,说明了Matlab在电路分析方面的优越性. 相似文献
95.
Single-crystalline 3C-SiC nanowires have been synthesized in large scale through a one-step autoclave route by the reaction of SiCl4, (C5H5)2Fe and metallic Na at 500 °C. Electron microscopy investigations show that the nanowires have typical diameters of 15-50 nm, lengths up to several tens of micrometers and grow along the [111] direction. The possible growth mechanism of the nanowires is discussed. 相似文献
96.
详述了国内外最新渣油催化裂化、多产柴油催化裂化、低碳烯烃催化裂化、生产清洁燃料催化裂化及催化剂的技术进展,同时根据我国实际情况对今后催化裂化技术的发展提出了建议。 相似文献
97.
Magnesiumandmagnesiumalloyshavebeenin vestigatedashydrogenstoragematerialsforseveralde cadesbecausefarmorehydrogenbyweightcanbestoredinthemthaninmostoftheothercurrentlyknownhydrogenstoragealloys .Moreover ,thehighnaturalabundanceofMg ,itslightmassandenviron mentalcompatibilitypotentiallymakemagnesiumoneofthemostprospectivecandidatesforfuturehydrogenstoragematerials .Unfortunately ,thepracticalappli cationofMganditsalloyshasbeenlimitedonlytocertainstoragedevicebecauseoftheirpoorhydriding dehydr… 相似文献
98.
Hydrothermal process was applied to synthesize zinc oxide nanocrystals. X-ray powder diffraction and scanning electron microscopy were used to analyze the crystal structure and surface morphology. XRD pattern analysis showed that the ZnO clusters are single hexagonal phase of wurtzite structure (space group P63 mc) with no impurity of Zn and Zn(OH)2. Also, SEM images revealed that the size of a single ZnO crystal is between 200-500 nm in diameter and 2-5 μm in length. The influence of potassium iodide (KI) as a surfactant on the crystallinity of ZnO has been investigated. 相似文献
99.
100.
RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性 总被引:4,自引:4,他引:0
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz. 相似文献