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141.
新场气田致密低渗透气藏重复压裂工艺技术 总被引:2,自引:0,他引:2
新场气田蓬莱镇组气藏由于储层致密、渗流条件差,单井自然产能低,所以多数气井必须进行压裂改造才能投产,但由于受储层致密和其它多种因素的影响,压裂增产有效期较短,针对这种情况,进行了气井重复压裂工艺技术的理论计算和现场应用研究,初步形成了一套包括储层评估、重复压裂潜力井优选、重复压裂造缝机理研究、优化重复压裂施工及配套工艺和压后评估的气井重复压裂技术。现场试验表明,对具有潜力的压裂失效气井采取重复压裂措施,能取得较好的增产效果。气井重复压裂技术的形成和推广,将有效提高川西地区各气藏的开发水平,同时也为类似致密碎屑岩气藏的开发提供有益的指导和借鉴。 相似文献
142.
采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象. 相似文献
143.
144.
Hao Wang Ying Lin Biao Chen 《Signal Processing, IEEE Transactions on》2003,51(10):2613-2623
We investigate non data-aided channel estimation for cyclically prefixed orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) systems. By exploiting channel diversity using only two receive antennas, a blind deterministic algorithm is proposed. Identifiability conditions are derived that guarantee the perfect channel retrieval in the absence of noise. In the presence of noise, the proposed method has the desired property of being data efficient-only a single OFDM block is needed to achieve good estimation performance for a wide range of SNR values. The algorithm is also robust to input symbols as it does not have any restriction on the input symbols with regard to their constellation or their statistical properties. In addition, this diversity-based algorithm is computationally efficient, and its performance compares favorably to most existing blind algorithms. 相似文献
145.
146.
优化项目管理MIS系统方案设计 总被引:2,自引:0,他引:2
按照工程项目“五制”管理的要求 ,以规范管理和提升工程质量为系统开发的基础和前提 ,探索适合本行业使用的项目MIS系统设计方案 ,并对其功能模型、数据规划、构造处理模型、数学模型进行分析 相似文献
147.
基于ERP系统的电子商务平台的分析 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了利用DNA和XML技术构建基于ERP系统的电子商务平台的解决方案,并且给出了数据接口的几种实现方式。 相似文献
148.
高校设备管理系统的设计与实现 总被引:3,自引:0,他引:3
运用Delphi 6和MS SQL Server 2000,在需求分析、功能模块划分、数据库模式分析的基础,设计了数据库结构并开发了高校的设备管理系统。该系统对设备管理中的需求计划、选型、购置、库存、使用、维修、更新及报废等全过程信息进行记录,同时兼顾资金计划和合同管理,使实物与财务有机结合,并为用户提供详尽准确的统计信息和便捷的管理手段。 相似文献
149.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
150.
Y.K. Su H.C. Wang C.L. Lin W.B. Chen S.M. Chen 《Photonics Technology Letters, IEEE》2003,15(10):1345-1347
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated. 相似文献