高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

主动雷达终端实时仿真软件的设计与实现

在主动雷达数据回放显示的基础上,通过使用D irectDraw和Intel IPP技术,设计了主动雷达终端实时仿真软件,包括信号处理、数据处理及终端显示等模块,极大地提高了软件的执行效率,使得整个仿真过程具有良好的实时性。本文介绍了该软件的设计及实现。     

凝视型探测器模型和输出电子数的算法

根据光电理论和探测器的工作原理，推导出了一种电荷耦合器件(CCD)摄像机面阵探测器调制传递函数，得到了一定入射条件下光敏元的输出电子数目。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

基于开关电流技术的连续小波变换的实现方法

开关电流技术是一种新的模拟抽样数据处理技术。开关电流电路具有一般电路不具有的优点，与标准数字CMOS工艺兼容。连续小波变换是分析非平稳信号的有力工具，在信号处理上有广泛的应用。本文提出用开关电流技术实现连续小波变换的方法，并用Matlab仿真证明了其理论可行性。     

DMT系统中一种易于实现的时域均衡器

总结了DMT系统中时域均衡器(TEQ)的主要设计方法，指出最大缩短信噪比(MSSNR)TEQ的最优设计方法很难实时实现。提出了一种MSSNR TEQ的次优设计方法，它首先估计出目标抽样窗的最优延迟，然后用分步求解法求出TEQ的抽头系数。和最优方法相比，次优方法的计算量大幅度减少，可实时实现，而其缩短信噪比的损失很小。仿真实验验证了次优方法的有效性。     

纺织工业厂房设计类型浅探

总结了目前几种常见类型纺织厂房的特点，进行了技术经济指标对比，建议性地指出目前纺织工业厂房设计的方向。     

粗粒土渗透变形机制浅析

对砂卵砾石的渗透变形的形成条件进行了简要分析，在此基础上对渗透变形的形式进行了简要评价，并提出了渗透变形临界坡降的计算方法。