首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   200935篇
  免费   2357篇
  国内免费   621篇
工业技术   203913篇
  2021年   1674篇
  2019年   1613篇
  2018年   2634篇
  2017年   2705篇
  2016年   2828篇
  2015年   1817篇
  2014年   3126篇
  2013年   9030篇
  2012年   5107篇
  2011年   7087篇
  2010年   5644篇
  2009年   6401篇
  2008年   6489篇
  2007年   6559篇
  2006年   5614篇
  2005年   5256篇
  2004年   5025篇
  2003年   4918篇
  2002年   4549篇
  2001年   4669篇
  2000年   4590篇
  1999年   4746篇
  1998年   11410篇
  1997年   8143篇
  1996年   6428篇
  1995年   4695篇
  1994年   4282篇
  1993年   4090篇
  1992年   3227篇
  1991年   3081篇
  1990年   2876篇
  1989年   2958篇
  1988年   2830篇
  1987年   2404篇
  1986年   2313篇
  1985年   2718篇
  1984年   2508篇
  1983年   2349篇
  1982年   2092篇
  1981年   2208篇
  1980年   2035篇
  1979年   2128篇
  1978年   2124篇
  1977年   2373篇
  1976年   3199篇
  1975年   1836篇
  1974年   1763篇
  1973年   1777篇
  1972年   1443篇
  1971年   1340篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
42.
43.
44.
45.
46.
Phase transformations in particles of ultrafine powders of graphite, hexagonal boron nitride, and quartz during rapid heating and cooling by passage through a laser beam were investigated. A continuous infrared laser with a wavelength of 10.6 μm was used as a heat source through which the powders were recycled several times. Methods of concentrating the product phases are described. Particles of diamond, carbides, cubic boron nitride, koesite and stishovite were obtained in the mixed products.  相似文献   
47.
Summary The equilibrium water contents of linear poly(acrylic acid) sodium salts with different degrees of neutralisation were found to be dependent on temperature and relative humidity. An octahedral model for the primary hydration of poly(acrylic acid) sodium salts (HIRAOKA and YOKOYAMA 1980) was critically evaluated in the light of these findings and an anomaly in the water uptake versus neutralisation curve at approximately 33% neutralisation was explained by the counterion condensation theory. (MANNING 1979).  相似文献   
48.
49.
Lenin Dnepropetrovsk Pipe Plant. Translated from Metallurg, No. 8, p. 39, August, 1989.  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号