排序方式： 共有61条查询结果，搜索用时 0 毫秒
61.
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入，能量为30keV，剂量为2e17cm-2. 对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下，进行2h的常规炉退火处理. 通过XPS,AES的测量得到，经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构. 用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析，得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系. 相似文献
