中铁·花溪渡暨结构长城杯项目高端价值座谈会 中铁·花溪渡:不是传说

"结构长城杯"是北京市建设工程质量最高荣誉奖项,只有那些内坚外美的精品工程才能获此殊荣。中铁·花溪渡即是这样的项目,源于中铁置业的"结构长城杯"金奖获得者。"结构长城杯"适用在北京市行政区域内新建的建筑工程。该奖项评审严格,获奖项目必须保证地基基础坚固、稳定,主体结构安全、耐久,确保抗震烈度设防和耐火等级,其针对建筑的评判标准甚至要高于国家硬性指标。中铁·花溪渡位于顺义新城核心区,是中铁置业旗下房产项目。项目严格遵守"长城杯"金杯评选标准,采用科学的管理办法有效施工,     

唐正良:住宅品质 康绿尔来了

2012年入夏以来,老板唐正良几乎每天都要接十多个业务电话,来电通常是咨询康绿尔公司的改性膨胀珍珠岩外保温材料。答复每一个电话,唐正良都耐心之极,他详细地给对方讲解这种外保温材料的性能、工法、价格等等。咨询电话越来越多,唐正良的耐心却一成不变,因为那些电话不仅是一桩桩潜在的生意,他更觉得一栋栋住宅的品质其实就潜伏在那些悦耳动听的来电里。他已经养成了认真、耐心地聆听业务电话的习惯,每天……     

宣贯“国务院46号文” 政企共书节能防火大文章

建筑保温材料的防火问题,业内已经争论了太长时间。2月26日上午,"宣贯《国务院关于加强和改进消防工作的意见》座谈研讨会"在北京新大都饭店召开。莅会的100多位建材部品生产企业的负责人、高管仔细聆听政府官员与专家学者对此次"国务院46号文"的解读。     

不同方法测试棉／莫代尔混纺织物含量差异分析

采用方法-（40℃甲酸／氯化锌法溶解2．5h）和方法二（70℃甲酸／氯化锌法溶解20min）,对纯棉面料、纯莫代尔面料以及不同比例的棉／莫代尔混纺面料进行了对比试验,结果表明：莫代尔纤维在方法一、方法二溶液中全部溶解,棉在方法一溶液中的损伤小,修正系数d值取1．01,棉在方法二溶液中的修正系数d值取1．03;用方法一测得的棉／莫代尔混纺织物对棉的损伤要小于方法二,建议在检测试验中采用方法一。     

输入滤波对直流分布式电源系统稳定性影响的研究

分布式供电直流变换器与逆变器级联系统具有很强的时变和非线性特性,级联式DC/DC变换器的稳定性是分布式供电系统中的重要问题。文中重点以DC/DC变换器与DC/AC逆变器连接为例分析逆变器输入滤波对系统稳定性的影响。通过实验验证,在逆变器侧串联LC滤波器,利于系统稳定。     

一种改进的太阳能电池MPPT技术

为了寻找一种能更好的实现太阳能电池最大功率点跟踪的方法,文中分析了太阳能电池的数学模型和在外部环境(温度、光照强度)变化的情况下太阳能电池的输出特性。介绍了太阳能电池最大功率点跟踪技术的原理,并提出了一种自适应变步长的方法,克服了传统固定步长方法的不足。仿真结果表明,该方法能够较快地跟踪光伏极板的最大功率点,使太阳能电池工作在最大功率点。     

750 kV防冰型复合绝缘子冰闪试验研究

复合绝缘子以其优良的耐污闪性能在电力系统中得到广泛应用,然而普通伞形复合绝缘子的伞裙在覆冰情况下很容易被冰棱桥接,覆冰后复合绝缘子的绝缘特性明显下降.近年来,覆冰引起的输电线路和变电站绝缘子闪络事故对电力系统的安全稳定运行造成了严重威胁.国内外对输电线路及变电站覆冰绝缘子的闪络特性进行了大量研究,但大多以短串为主,针对超高压和特高压全尺寸完整串绝缘子的相关研究还比较少.开展了4种不同伞形的750 kV复合绝缘子的冰闪试验,结果表明:复合绝缘子加超大伞后,绝缘子的覆冰过程和最终覆冰状态不同,加装7,9,10个超大防冰伞复合绝缘子的闪络电压较普通型的分别高12.3％、25.8％、27.7％;冰闪电压随着防冰伞数量的增加呈上升且逐渐饱和的趋势,750 kV线路复合绝缘子的防覆冰伞形优化需选择合理的防冰伞裙间距离.     

异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究

采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性.该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解.结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET的电学特性.研究结果表明,与单橱结构相比,异质栅器件结构具有更低的泄漏电流、更高的电流开关比,并且,在15 nm技术节点以上,异质栅CNTFET器件能够较好地满足ITRS'10的相关性能指标要求.     

马氏体时效钢的研究现状与发展

马氏体时效钢是指以无碳或微碳的铁镍马氏体为基体,时效时能产生金属间化合物以进行沉淀硬化的超高强度钢。回顾了马氏体时效钢的发展历程,通过论述马氏体时效钢中各合金元素的作用讨论了其合金化的特点,结合马氏体时效钢的性能特点,介绍了其应用现状。此外,重点阐述了马氏体时效钢的氢脆敏感性问题,并对其未来的发展提出展望。     

异质栅纳米碳管场效应管线性掺杂效应的研究

The effects of linear doping profile near the source and drain contacts on the switching and high- frequency characteristics for conventional single-material-gate CNTFET （C-CNTFET） and hetero-material-gate CNTFET （HMG-CNTFET） have been theoretically investigated by using a quantum kinetic model. This model is based on two-dimensional non-equilibrium Green＇s functions （NEGF） solved self-consistently with Poisson＇s equations. The simulation results show that at a CNT channel length of 20 nm with chirality （7, 0）, the intrinsic cutoff frequency of C-CNTFETs reaches up to a few THz. In addition, a comparison study has been performed between C-and HMG-CNTFETs. For the C-CNTFET, results reveal that a longer linear doping length can improve the cutoff frequency and switching speed. However, it has the reverse effect on on/off current ratios. To improve the on/off current ratios performance of CNTFETs and overcome short-channel effects （SCEs） in high-performance device applications, a novel CNTFET structure with a combination of an HMG and linear doping profile has been proposed. It is demonstrated that the HMG structure design with an optimized linear doping length has improved high-frequency and switching performances as compared to C-CNTFETs. The simulation study may be useful for understanding and optimizing high-performance of CNTFETs and assessing the reliability of CNTFETs for prospective applications.