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李万玉 《甘肃水利水电技术》2012,(10):41-43
靖远县兴电灌区齐家大岘隧洞在施工和运行过程中衬砌混凝土多次出现裂缝、变形等问题,严重威胁隧洞安全运行。在统计、分析衬砌裂缝的基础上,得出了隧洞变形及裂缝产生的原因,从而为其加固提供依据。 相似文献
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采用乳化-超声法制得姜黄素固体脂质纳米粒(Curcumin solid lipid nanoparticles,CNSLN),比较游离药姜黄素(Curcumin,CRM)和CNSLN的在体肠中吸收情况。选用大鼠在体单向肠灌流模型(Single-pass intestinal perfusion model,SPIP),以紫外分光光度法测定游离CRM和CNSLN通过肠液后CRM的减少量来确定药物的吸收。结果:透射电镜下观察到CNSLN成圆形或椭圆形,平均粒径为(120.7±5.4)nm,平均Zeta电位为(-41.90±1.81)m V,平均包封率为(91.12±0.42)%。游离CRM和CNSLN在十二指肠、空肠、回肠和结肠4段的吸收速率常数(Ka)、有效渗透率(Peff)和百分吸收率(W)均存在显著性差异(P0.01),CNSLN比游离CRM均提高了2倍以上,且CNSLN的最大吸收部位在结肠。在体肠吸收结果显示,CNSLN的肠吸收比游离CRM高,CNSLN能明显的提高大鼠对游离CRM的肠吸收。 相似文献
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A traditional bottom-up modeling method for minimum configuration numbers is adopted for the study of FPGA minimum configurations.This method is limited if a large number of LUTs and multiplexers are presented. Since graph theory has been extensively applied to circuit analysis and test,this paper focuses on the modeling FPGA configurations.In our study,an internal logic block and interconnections of an FPGA are considered as a vertex and an edge connecting two vertices in the graph,respectively.A top-down modeling method is proposed in the paper to achieve minimum configuration numbers for CLB and IOB.Based on the proposed modeling approach and exhaustive analysis,the minimum configuration numbers for CLB and IOB are five and three,respectively. 相似文献
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自适应图像边缘检测LOG算法的DSP实现 总被引:2,自引:0,他引:2
LOG算子是图像边缘检测的重要算子,可以在不同尺度下检测图像的边缘特征。针对LOG算子存在的缺陷,并借助于LMS自适应算法获取最佳空间系数σ值,成功抑制了图像中的大部分噪声。并通过基于TMS320C6000专用信号处理器的图像处理系统实现了图像边缘检测的自动提取。实验结果表明,当σ值较小时,LOG算子对高反差像素比较敏感,能够检测出物体的精细边缘,并且与实际边缘的一致性较好,但同时高斯滤波不彻底,图像中出现大量的虚假边缘;当σ值较大时,算子能够检测出原图像的边缘,噪声情况明显减小,但是边缘间存在相互干扰,位移严重等情况;本算法检测出的图像边缘,不仅成功抑制了图像中大部分噪声和微小的灰度变化,还保证了较高的边缘定位精度。增强了LOG算子的实用性,并且该算法易于实现,可以较好的解决图像边缘检测问题。 相似文献
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针对语音通信经常受到背景噪声干扰的问题,本文采用扩展谱减法(Extended Spectral Subtraction)在TI公司的TMS320VC5410DSP芯片上实现语音增强系统。实验结果表明,当p取0.85时,获得最佳增强效果,增强后的语音可懂度明显得到改善。由于背景噪声是非平稳的,在低信噪比下语音信号有所损伤,但是没有出现大量的“音乐噪声”,其可懂度也没有显著下降。扩展谱减法可以有效地消除背景噪声,抑制“音乐噪声”,信噪比越高,增强效果越好。即使当信噪比较低(0dB)时也能很好的提高语音质量。 相似文献
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在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。 相似文献