全文获取类型
收费全文 | 4862篇 |
免费 | 225篇 |
国内免费 | 216篇 |
学科分类
工业技术 | 5303篇 |
出版年
2024年 | 24篇 |
2023年 | 77篇 |
2022年 | 59篇 |
2021年 | 50篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 90篇 |
2018年 | 114篇 |
2017年 | 61篇 |
2016年 | 76篇 |
2015年 | 112篇 |
2014年 | 257篇 |
2013年 | 197篇 |
2012年 | 242篇 |
2011年 | 249篇 |
2010年 | 236篇 |
2009年 | 227篇 |
2008年 | 276篇 |
2007年 | 244篇 |
2006年 | 222篇 |
2005年 | 245篇 |
2004年 | 211篇 |
2003年 | 203篇 |
2002年 | 212篇 |
2001年 | 176篇 |
2000年 | 112篇 |
1999年 | 144篇 |
1998年 | 110篇 |
1997年 | 97篇 |
1996年 | 103篇 |
1995年 | 92篇 |
1994年 | 101篇 |
1993年 | 58篇 |
1992年 | 62篇 |
1991年 | 68篇 |
1990年 | 69篇 |
1989年 | 63篇 |
1988年 | 41篇 |
1987年 | 35篇 |
1986年 | 46篇 |
1985年 | 33篇 |
1984年 | 19篇 |
1983年 | 24篇 |
1982年 | 19篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 13篇 |
1978年 | 4篇 |
1965年 | 3篇 |
1964年 | 3篇 |
1959年 | 4篇 |
1957年 | 5篇 |
排序方式: 共有5303条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
采用直流反应溅射法在P-Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,1-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性.研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质结的开路电压和短路电流,进而增大异质结的光电转换效率,经400℃退火后异质结获得最佳的转换效率.当退火温度达到或超过500℃时,异质结的反向电流迅速增加,光生电压和光生电流大幅度减小.通过对ZnO薄膜结构和电学性质的测量和分析,推测异质结的光电转换特性改变主要受ZnO薄膜的电学性质影响. 相似文献
993.
994.
995.
996.
997.
998.
借助脉冲的等效时间复参数讨论了Sech型光脉冲通过光纤一光栅对系统后的传输和变换特性,给出了脉冲压缩的最佳条件,为处理非高斯型光脉冲经过线性系统的传输提供了一种有效的方法。 相似文献
999.
1000.