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61.
62.
ATM-PON是光纤接入网的重要技术。文章研究了业务穿越ATM-PON接入网的延时和延时变化性能,着重分析媒体接入控制协议对业务延时和延时变化性能的影响。研究结论对ATM-PON媒体接入控制协议的合理设计有很大的帮助。  相似文献   
63.
In phase unwrapping, how to control the residues and cut-lines is critical to unwrap ill-state wrapped phase map successfully. Some new concepts in phase unwrapping field are proposed. Firstly, the residues in three types, I.e., singular residues, normal residues and virtual residues, are classified, which leads to some rational unwrapping paths. Secondly, some differences between cut-line and curved-line are analyzed. And finally, experiment is carried out to compare our new enhanced Goldstein algorithm with the original Goldstein algorithm.  相似文献   
64.
介绍了一套基于微机局域网的ICF综合实验数据采集和处理系统,从基本物理实验需求的分析到系统软硬件的选择,物理测试节点的入网和实验数据的共享和管理等方面阐述了其整个建立过程,给出了实用系统的结构和其应用情况。  相似文献   
65.
为了解在惰气环境Pu(OH)4(am)与碳酸盐溶液中HCO-3,CO2-3的配位行为,考察了放置时间对Pu总浓度的影响;同时也考察了pH值、碳酸根总浓度变化对碳酸盐溶液中Pu的主要存在形态及溶解总浓度的影响。实验结果表明,HCO-3离子与Pu(OH)4(am)生成[Pu(OH)4(HCO3)2]2-(lg K=-2.61±0.18, lgβ=54.25±0.18)或[Pu(OH)2(CO3)2]2-(lgK=-2.61±0.18, lgβ=46.91±0.18);CO2-3离子与Pu(OH)4(am)生成[Pu(OH)4(CO3)2]4-(lgK=-3.52±0.11, lgβ=53.33±0.11)。可能的配位反应方程式为: Pu(OH)4(am)+2HCO-3 = [Pu(OH)4(HCO3)2]2-, Pu(OH)4(am)+2HCO-3 =[Pu(OH)2(CO3)2]2-+2H2O, Pu(OH)4(am)+2CO2-3=[Pu(OH)4(CO3)2]4-。  相似文献   
66.
从退火态原位TiCp/Fe复合材料的切削力和切屑形状方面分析了其切削性能。研究结果表明其切削力及切削力的波动范围都小于铸态45钢,其切削性能比45钢好。TiCp/Fe复合材料的切屑为C形屑、长紧卷屑和发条状卷屑,在机加工中,产生这几种切屑是比较理想的。从切屑方面看,TiCp/Fe复合材料的切削性能较好。  相似文献   
67.
本文在浅埋地下建筑风冷热泵空调系统围护结构传热动态模拟的基础上,通过对南京市太园地下旅社围护结构传热的实时测试,验证动态传热模型及计算机模拟方法的可行性和正确性,为浅埋地下建筑风冷热泵空调系统的装机容量、节能指标和设计计算提供一定的理论依据。  相似文献   
68.
采用纳滤预处理的海水淡化集成技术   总被引:7,自引:1,他引:6  
海水淡化是解决淡水危机的主要方法之一,但由于海水的硬度、浊度和总固溶物含量均非常高,因而导致淡化水的能耗量和成本较高.采用纳滤膜技术可以降低海水的硬度和总固溶物及有机物的含量,减少结垢与污染,提高水回收率,有望实现海水淡化成本的进一步降低.详细介绍了纳滤与常规蒸馏法、膜法海水淡化相结合而构成的新型纳滤预处理海水淡化集成技术:NF—MSF、NF—SWRO、NF—SWROrej-MSF等的国外研究与应用进展情况.  相似文献   
69.
冲切成槽法施工薄壁砼防渗墙,是一种新型防渗墙施工方法,它是利用特制的扁钻头对风化基岩或卵石层进行冲切成槽的施工方法,在工艺上有着较强的优越性.  相似文献   
70.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.  相似文献   
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