I形MEMS谐振器的电阻差分检测方法

为克服Ｉ2形MEMS谐振器输入端（热执行）与输出端（压阻敏感）直接耦合所造成的输出信号品质较差的缺点,设计并制作了一种电阻差分检测电路。该电路通过外接电阻的方法,产生与输出信号中耦合成分幅值相同、相位相反的差分信号。将差分信号与谐振器输出信号相组合,从而实现解耦的目的。实验结果表明,电阻差分检测可有效消除了输出信号中的耦合成分,使频谱响应曲线得到更直观的体现。与其他消除耦合信号的技术方案相比（混频检测电路、惰性谐振器等）,电阻差分检测法电路设计简单,无需改动器件的加工工艺,有利于满足未来器件小型化要求。     

基于LabVIEW的检测系统数据采集与分析

分析了LabVIEW的数据采集技术,给出了数据采集应用实例。应用表明,LabVIEW用于检测系统的数据采集、测试、测量等任务,可以减少系统的开发时间,同时也提高了编程效率。     

一种降低直调电/光转换组件功耗的封装方法

为了降低直调电/光转换组件的功耗,以对组件的散热分析结论为基础,提出一种降低直调电/光转换组件功耗的封装方法,即对组件变形敏感的区域采用传统的柯伐合金材料,对半导体制冷器（TEC）底部要求快速散热的区域则采用热导率较高的金刚石铜材料。仿真与测试结果表明：所提出的方法可以降低TEC热端面与组件底面之间的温差、TEC的冷热两端面温差、TEC的电流和TEC自身产生的功耗;在工作温度为70℃时,电/光转换组件的单通道功耗从传统封装方式的2.875 W降低到1.25 W,功耗降低了56.5%。     

抗热冲击稳压器双锥密封结构设计优化研究

通过开展稳压器双锥密封结构温度分布仿真、密封性能分析，获得了密封结构的温度分布和密封面接触应力随时间变化的规律，结合试验现象，确认了温度骤变带来的热冲击是双锥密封结构泄漏的诱因。为提高该密封结构对温度变化的适应性，提出了一种双锥密封结构的抗热冲击技术，即:将一种结构简单且便于安装的抗热冲击屏蔽应用于双锥密封结构，以提高其抗热冲击能力。计算结果表明，该技术有效降低了稳压器双锥密封结构承受的热冲击，对抑制人孔密封处的泄漏效果明显，提高了密封结构的可靠性。      

单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制

针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势。最后,基于添加剂对疏水性单晶硅材料的作用机理及表面张力调节,表面活性剂和酒精类添加剂之间的相互作用分析了刻蚀形貌发生变化的原因。以典型悬臂梁-质量块的制作为例,验证了采用该单晶硅刻蚀形貌控制方法可以获得微加速度计光滑的悬臂梁表面和无需凸角补偿的完整质量块。相比于其它制作工艺,该方法简单、易操作,有利于提高微机电器件的性能。     

冷中子差分成像模拟研究

冷中子照相利用穿透样品的中子和荧光屏~6Li反应产生的α带电粒子与荧光材料发光,从而在探测器上记录光强度的分布.本文简单介绍了冷中子照相的特点,给出了铍与钛金属宏观总截面随能量的变化,设计特定的样品采用MCNP模拟不同能量下的中子图像,中子图像显现Bragg吸收限上下两幅图像的对比度差异,采用差分成像对两幅中子图像进行处理,凸现了冷中子照相的优点.     

SPRR-300反应堆在线中子照相技术初步研究

简要描述了在线中子照相技术的特点,较详细阐述了SPRR－300反应堆在线中子照相中中子束的获取、转换屏的选择、微光成像系统和图像采集与处理系统的构成,并对在线中子照相实验结果进行了分析。     

新型金融体系下的电子支付2．0时代

大家下午好！ 非常高兴，今天有机会与大家分析电子支付。 昨天是12月11日，很多人觉得是一个普通的日子．但对支付公司却是一个分水岭，是非常值得纪念的。12月11日是中国的银行界全面开放，外资可以进来的日子。这对中国银行界是一个巨大的机会．更是一个挑战。     

降低HP295焊瓶钢卷板屈强比的实践

本文介绍了新钢热轧生产线HP295焊瓶钢的生产情况。生产实践表明,通过提高精轧终轧温度,采用两阶段冷却方式,可使HP295的屈强比低于0.8,各项力学性能满足国标GB6653-1994要求。     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．