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工业技术 | 167篇 |
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1983年 | 2篇 |
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161.
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD (002) 摇摆曲线半高宽573″,(102) 摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V·s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%. 相似文献
162.
S波段10 W SiC MESFET的研制 总被引:5,自引:0,他引:5
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz.对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果. 相似文献
163.
建立食源性金黄色葡萄球菌的分型与溯源方法。方法 以血浆凝固酶为目标基因,通过PCR方法对食源性金黄色葡萄球菌进行鉴定,同时借助全自动微生物基因指纹鉴定系统(RiboPrinter)对其进行分型和类聚状况分析。结果 PCR方法可特异性鉴定金黄色葡萄球菌,RiboPrinter方法可将金黄色葡萄球菌分为6个亚型,各亚型类聚状况平均分布。结论 上述方法的建立可准确地将金黄色葡萄球菌进行鉴定和分型,分析类聚分布与同源性关系,为食源性致病菌的快速鉴定与分型溯源提供技术手段。 相似文献
164.
使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果. 相似文献
165.
采用高通量微生物法和HPLC法检测猪肉中四环素和磺胺类抗生素残留 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了一种采用高通量微生物法进行筛检,再用反相高效液相色谱法同时测定猪肉中土霉素、四环素、金霉素、磺胺甲基嘧啶、磺胺二甲嘧啶和磺胺间甲氧嘧啶的分析方法。样品取汁在96孔微板上采用嗜热脂肪芽孢杆菌(Bacillus sterothermophilus)进行筛检,同时采用Mcllvaine-EDTA溶液提取,选择270 nm和360 nm为检测波长进行检测。结果表明:所建立的微生法的检出限为0.02~0.05μg/mL,HPLC法的检出限为0.03~0.06 mg/kg,添加回收率80.25%~118.60%。 相似文献
166.
167.