硫自养/异养协同反硝化深度脱氮处理三氯蔗糖生产废水

为解决工业废水普遍存在的氮污染问题及单一电子供体的反硝化技术存在的缺陷,在上流式高效流化床反硝化反应器中,本文以Na₂S₂O₃和葡萄糖为底物构建硫自养/异养协同反硝化脱氮系统,研究其对三氯蔗糖生产废水二级处理出水的深度脱氮效果。在(35±1)℃下,调整进水C/N/S为1.3/1/1.9,反应器在40~109天运行期间,达到较高的脱氮水平,NO{}_{\mathrm{3}}^{-}-N去除率均在93%以上,最大NO{}_{\mathrm{3}}^{-}-N去除负荷达到3.52kg/(m³·d),且在不投加pH缓冲剂的条件下,出水pH始终保持在7.0以上。硫自养/异养协同反硝化污泥的群落组成以自养反硝化菌和兼养反硝化菌为主,其占比分别为45.69%和25.38%,异养反硝化菌相对较少。其中Thiobacillus是相对丰度最高的自养反硝化细菌,占比39.02%。     

表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响

研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响.在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题.进一步实验发现,硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素,通过对离子注入的优化,器件栅金属化后的理想因子减小到1.6,栅源反向电压为-20 V时,反向泄漏电流为2.8×10-6 A.     

S波段系列SiC MESFET器件研制

SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题;针对不同应用背景,研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiC MESFET样管。在2GHz脉冲状态下,300μs脉宽、10%占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W,功率密度大于4W/mm;15mm栅宽器件在3.1~3.4GHz频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。     

高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究

报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。     

RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制

对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,棚压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.     

AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展

从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等.回顾了近年来这些方法的研究进展.     

重型可转位硬质合金成形盘铣刀

<正> 东方电机厂将要生产大型汽轮发电机中的关键件——转轴,直径为1200mm,长度为12000mm。轴上铣有36条半梯形嵌线槽。其槽形见图1。     

等离子体中弹丸消融的CCD摄像

描述了在HL-1M装置上氢弹丸注入时用高速CCD相机拍摄Hα辐射照片的实验结果。得到了弹丸消融云图像、速度及轨迹。通过对照片的处理,获得辐射光强的空间分布。分析了弹丸轨迹发生弯曲及条纹现象,探讨了弹丸与等离子体相互作用的物理机制,为进一步在弹丸注入条件下用CCD测量等离子体局部磁场和电流分布打下了基础     

γ-聚谷氨酸-天冬氨酸聚合物的合成表征及性质EI北大核心CSCD

利用微生物发酵制备γ-聚谷氨酸,降解得小分子γ-聚谷氨酸,将天冬氨酸接入小分子γ-聚谷氨酸,得γ-聚谷氨酸-天冬氨酸聚合物(GAP460)。核磁共振、红外光谱、差热扫描量热分析(DSC)等方法表征GAP460;常规方法检测GAP460的结构稳定性,免疫原性,急性毒性及血液参数值等。结果表明,成功制备了γ-聚谷氨酸-天冬氨酸聚合物,其在中性、常温及4℃条件下结构稳定;GAP460免疫小鼠,初次免疫后八周测得抗体滴度为1∶20,显示GAP460是低免疫原性;急性毒性、血液参数等生物相容性指标显示该材料无毒。     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。