全功率风电系统高电压穿越的仿真与实验研究

随着国内风电装机容量的不断增长,其对电网可能产生的影响也越来越大,因此电网对机组的电网适应性要求也在不断提高。高电压穿越(HVRT)作为电网适应性要求的一部分,国外已制定相应标准,国内虽暂时没有展开相关测试,但相关人员已经在研究高电压穿越相关技术了,其要求在国内也必将得到推广。因此,以风电全功率变流器高电压穿越为例,通过理论分析、仿真及实验,揭示高电压穿越时变流器的运行状态,并研究其相关的控制策略。     

轰击离子能量对V2AlC MAX相涂层结构及力学性能的影响

采用物理气相沉积（PVD）磁控溅射沉积方法,通过改变轰击离子能量制备高密度的V₂AlC涂层,并探究不同轰击离子能量对涂层结构和性能的影响。利用能谱仪测试、X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜、原子力显微镜对涂层的化学组成、相结构、表面与截面形貌进行分析,同时利用纳米压痕测试评价V₂AlC涂层力学性能。结果表明,提高轰击离子能量从15 eV到35 eV可以有效使得V₂AlC涂层致密化,且降低涂层表面粗糙度~50%（从~20.2 nm到~11.9 nm）,同时提高涂层的硬度~50%（从~14 GPa到~21 GPa）,与杨氏模量~20%（从~309 GPa到~363 GPa）。但当轰击离子能量升高到50 eV时,Al元素含量急剧下降,涂层由V₂AlC相转变为V₂C与VC多相混合。轰击离子能量的提高有效改善V₂AlC涂层的结构,提高V₂AlC涂层的硬度,杨氏模量,但需控制轰击离子能量改变范围才可实现结构与性能最优化。     

浅谈激励机制在企业管理中的作用及建立

组织行为学不是研究人的一般心理行为规律,而是研究各种工作组织中人的工作行为规律。工作行为主要包括涉及影响组织成员积极性和组织绩效的行为管理、差异管理、激励管理、团队管理和权力管理等。依据组织行为学中关于激励的相关理论,浅谈激励机制在企业管理中的作用及建立。     

IP/MPLS和T-MPLS端到端组网

电信级承载网 当网络融合趋势越来越明显,作为其中关键一环的承载网备受瞩目.历经多年争论和发展,建设一个综合的统一的电信级承载网得到一致认同.电信级承载网必须具有电信级特征:QoS保证、多业务支持、可扩展性、可管理性、强壮性.     

IP／MPLS和T-MPLS端到端组网

电信级承载网 当网络融合趋势越来越明显，作为其中关键一环的承载网备受瞩目。历经多年争论和发展，建设一个综合的统一的电信级承载网得到一致认同。电信级承载网必须具有电信级特征：QoS保证、多业务支持、可扩展性、可管理性、强壮性。从目前的研究情况看，我们可以从两方面入手建设综合电信级承载网：     

脉冲激光辐照皮肤组织的热效应数值模拟研究

具有一定强度的激光辐照皮肤组织时可造成组织的破坏.本文建立了激光辐照皮肤组织的二维热效应模型,并在柱坐标系下精确求解了高斯分布的激光脉冲辐照皮肤组织的热传导方程,得到瞬态温度场分布.研究结果表明:脉冲激光对皮肤组织的热损伤,最早发生在光束中心处,并沿着径向和轴向衰减,当脉冲激光辐照后一段时间,温度达到最大值时并不是发生在脉冲结束时,而是在脉冲结束后的一段时间内.脉冲激光辐照皮肤组织,激光能量密度起着决定性因素,焦斑半径也是影响作用效果的一个非常重要的参数.     

SAR图像建筑物成像特性及重建研究方法

基于SAR图像中平面屋顶建筑物的成像机理,介绍SAR图像中建筑物的信息获取和重建方法,包括成像特性、建筑物平面长条屋顶的提取、建筑物高度计算.通过成像原理,利用建筑物二次散射亮线及叠掩、阴影区域定位建筑物屋顶区域,再结合叠掩、阴影区域反推出建筑物高度的计算公式,实现建筑物三维重建.     

细号高密涤棉横条织物的生产实践

探讨细号高密涤棉横条织物的生产技术要点.通过分析细号高密涤棉横条织物的风格、特点以及生产过程中出现的问题,整经采用“中车速、中张力、小伸长”的工艺原则,浆纱采用“两高一低”的工艺配置,织造采用“早开口、晚引纬、合理配置经位置线”的工艺原则,较好地解决了经缩和纬停问题.织机综合效率达到90％以上,下机一等品率达到93％以上.     

电子电路设计的虚拟工作平台—EWB设计软件

介绍了EWB设计软件与SPICE的关系，EWB在设计过程中的功能与重要性，执行EWB模拟器所需的电脑软硬件环境。     

S~(2-)对A710钢在NaCl溶液中腐蚀行为的影响

采用室内静态挂片失重实验方法、动电位极化法、FE-SEM表面微观观察和XRD物相分析等技术,研究了A710钢在高S~(2-)含量的3.5%NaCl溶液中的腐蚀行为。结果表明:S~(2-)的加入能够增强钢基体表面的活性,导致维钝电流密度增大,钝化区间变窄,均匀腐蚀速率增加;在含有S~(2-)的NaCl溶液中形成的腐蚀产物膜结构疏松,存在孔隙和裂纹,促进了膜下点蚀的发生。