正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长

采用MOCVD技术在101.6 mm(4英寸)正晶向半绝缘C面SiC衬底上生长了厚度为1μm的GaN缓冲层。通过深入研究不同AlN成核层上生长的GaN缓冲层的性质,揭示了正晶向SiC衬底上氮极性GaN的生长机制,发现成核层表面AlN岛的密度是决定缓冲层表面形貌的重要参数,对后续GaN的成核以及GaN岛间的合并具有显著影响。通过在AlN成核层外延期间引入N2作为载气并且以脉冲方式供应铝源,研制的成核层表面成核岛尺寸小且致密性高,有利于促进GaN成核岛之间的横向合并,并抑制GaN缓冲层的岛状生长模式,从而获得了表面光滑的N极性GaN薄膜材料,原子力显微镜20μm×20μm扫描范围下的均方根(rms)粗糙度值为1.5 nm。此外,在表面平滑的GaN薄膜上生长的GaN/AlGaN异质结的电子输运特性也同步得到提升,这有利于N极性GaN材料的微波应用。     

基于ANSYS的悬索跨越施工状态分析

介绍了悬索跨越是长输管道跨越中常用的一种形式,其结构主要由主索、抗风索、主塔和锚固系统及加劲梁等部分组成,应用ANSYS软件对悬索跨越进行了有限元分析,分析了施工前、施工阶段受力特性,得到结构的位移和变形,为工程施工提供依据。     

Android系统的信息安全

安卓的安全性一直是备受争议的话题,本文主要对Android信息安全问题进行简要分析,从系统本身、软件应用商城和用户三个方面调查研究并提出了一些解决措施.     

基于反向工程方法的易切削笔尖钢关键工艺参数的探索

基于反向工程方法,对市售5种具有代表性的圆珠笔笔尖钢的成分及含量、易切削相组成及配比进行了检测分析,探讨了开发笔尖钢的关键工艺参数。研究结果显示:5种笔尖钢均为含硫-铅-碲的易切削不锈钢,硫的平均质量分数高于0. 35%,平均锰硫比(Mn/S)值为3. 45,铅的质量分数为0. 11%～0. 12%,碲的质量分数为0. 013%～0. 021%;钢中主要易切削相为硫化锰、单质铅和碲化物。5种笔尖钢中夹杂物的平均等效直径分别为3. 3、4. 1、4. 9、3. 8、3. 8μm,其中3号笔尖钢中硫化物形态控制较好,易切削相分布均匀。基于检测结果开展了加Te高硫钢高温熔炼试验,通过对硫化物的碲改质寻找最佳的碲硫比(Te/S)值,结果显示,当Te/S=0. 25时,夹杂物形态控制较好,进一步提高Te/S,夹杂物改质效果提升不明显。     

工程造价费用模型的建立与应用

工程造价决定并制约着项目的成败,同时也决定着企业能否长远发展。当前,在市场定价机制下,市政工程造价存在较多风险。本文主要讨论了如何选取合适的参数,以及建立投资估算的快速估算费用模型在实际工作中的应用。     

工程造价费用模型的建立与应用

工程造价决定并制约着项目的成败,同时也决定着企业能否长远发展。当前,在市场定价机制下,市政工程造价存在较多风险。本文主要讨论了如何选取合适的参数,以及建立投资估算的快速估算费用模型在实际工作中的应用。     

双定子游标磁阻电机的转矩研究

为了满足很多场合中低速大转矩直接驱动电机的需要,基于传统游标磁阻结构电机改进设计了一种双定子中间转子式的新型游标磁阻电机。分析了传统游标磁阻电机的工作原理并推导出其电磁转矩表达式,利用有限元法对比分析新型游标磁阻电机和传统游标磁阻电机的性能,仿真计算得出该新型电机的平均转矩比传统游标磁阻电机高44%,通过对内外定子间的相对角度进行优化,得出最优角度为15°,此时其平均转矩与优化前相比提高9.5%。     

基于PXI总线的误码测试技术的研究

本义将PXI总线技术和误码测试技术相结合,研制了基本PXI总线的误码测试卡,给出了具体的硬件电路设计和虚拟面板的实现.     

三值绝热多米诺文字运算电路开关级设计

通过对绝热多米诺电路和多值电路的研究,提出一种新颖的低功耗三值文字运算电路的开关级设计方案。该方案首先通过开关—信号理论推导出逻辑0和2的文字运算电路开关级结构式及电路;然后利用三种文字运算之间互斥与互补的约束关系得到逻辑1的文字运算输出信号,同时通过波形转换电路使电路的输出转换为较规则的缓变梯形波;最后利用Spice软件对所设计的电路进行仿真,结果显示所设计的三值绝热多米诺文字运算电路具有正确的逻辑功能,与常规多米诺三值文字运算电路相比,能耗节省约39%。