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Bisphenol A polycarbonate is shown to be miscible with a vinylidene chloride based polymer containing 13.5% by weight of vinyl chloride. On the other hand, polycarbonate is found to be immiscible with poly(vinyl chloride), poly(vinylidene fluoride), and polyepichlorohydrin. 相似文献
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Polyurethane acrylate anionomer (PUAA)/silica composite gels were prepared by the sol‐gel reaction of tetraethoxysilane (TEOS) and methacryloxypropyl trimethoxysilane (MPTS) incorporated to PUAA gels by using a swelling method. The formation and structure of composites were confirmed by FTIR, X‐ray diffraction, and SEM. As a result, we found that silica components in composites are located within the ionic domains of their gels and interacted with PUAA via hydrogen bonding. This drastically enhanced the mechanical properties of the composites. Mechanical properties are also improved by MPTS, because MPTS improves the dispersibility and adhesion of silica components in PUAA/silica composite gels. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 84: 2327–2334, 2002 相似文献
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Keon Woo Kang Jaemin Ann Hwang Soo Lee 《Electronics letters》1994,30(25):2153-2154
The authors propose a method to estimate the synchronisation offset for orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) frame alignment without resort to pilot tones. A decision-directed maximum-likelihood estimation of frame synchronisation offset is derived, and the performance of the proposed scheme is confirmed by computer simulation for QAM systems 相似文献
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In this paper, an analytic current-voltage model for submicrometer fully-depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET's is presented. This model takes into account the source/drain series resistances which can be especially high in thin film SOI devices. The effect of drain induced conductivity enhancement is also included, which is important for submicrometer channels. The model is verified by comparison to measured SOI I-V characteristics. Good agreement is obtained for SOI film thicknesses ranging from 40 to 220 nm and effective channel lengths down to 0.25 μm 相似文献
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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
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