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11.
曾秋云 《电子科技》2015,28(4):116-119
基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。  相似文献   
12.
蒲凌杰    曾繁慧    汪培庄   《智能系统学报》2020,15(3):528-536
目前,基于因素空间理论的背景基提取算法计算过程复杂,初始化必须依赖各因素极值,基点数量提取冗余等原因,未能在应用中取得很好效果。为此,结合内点判别法和知识可继承、可扩展的思想,提出一种计算简单、初始化独立、基点数量小的改进的背景基提取算法。然后,利用改进的背景基提取算法构造出一种全新的数据分类算法-基点分类算法,基点分类算法以提取每一类样本的背景基为预测模型,再通过新定义的λ-背景基,优化预测模型。数值实验表明:基点分类算法原理简单、构造难度小、分类模型泛化能力强,预测能力准确率高,同时严格的模型限定区域又能为识别新类别提供新方法。  相似文献   
13.
张娜  秦品乐  曾建潮  李启 《计算机应用》2019,39(6):1816-1823
针对在灰度图像着色领域中,传统算法信息提取率不高、着色效果不理想的问题,提出了基于密集神经网络的灰度图像着色算法,以实现改善着色效果,让人眼更好地观察图片信息的目的。利用密集神经网络的信息提取高效性,构建并训练了一个端到端的深度学习模型,对图像中的各类信息及特征进行提取。训练网络时与原图像进行对比,以逐渐减小网络输出结果的信息、分类等各类型的损失。训练完成后,只需向网络输入一张灰度图片,即可生成一张颜色饱满、鲜明逼真的彩色图片。实验结果表明,引入密集网络后,可有效改善着色过程中的漏色、细节信息损失、对比度低等问题,所提算法着色效果较基于VGG网络及U-Net、双流网络结构、残差网络(ResNet)等性能优异的先进着色算法而言取得了显著的改进。  相似文献   
14.
本文分析了在过渡季节如何利用冷却塔为国际高端酒店提供免费冷源,以及过渡季节通过冷却塔为酒店供冷的空调效果与经济效益,并通过具体实施项目案例证明了利用冷却塔提供免费冷源的可行性、经济性及对于节能环保的意义.  相似文献   
15.
ZnO基薄膜晶体管的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。  相似文献   
16.
Al2O3陶瓷激光铣削试验研究   总被引:9,自引:1,他引:8  
袁根福  曾晓雁 《中国激光》2003,30(5):467-470
采用Nd∶YAG脉冲激光器对Al2 O3陶瓷进行铣削加工试验。系统研究了工艺参数对铣削量和铣削面质量的影响规律 ,并利用优化的铣削工艺对Al2 O3陶瓷进行多种形状的铣削加工。  相似文献   
17.
基于网络处理器的RPR综合业务接入平台的设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
弹性分组环(RPR)是一种新的城域网技术,文章提出了用网络处理器IXP1 200构建RPR综合业务接入平台的设计方案,并重点讲述了其中微引擎部分的软件设计.  相似文献   
18.
水资源承载力及其研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章简要介绍了我国水资源情况,分析了我国水资源承载力与可持续发展的关系,并阐述了水资源承载力 研究的特点和方法。  相似文献   
19.
GY-340厌氧胶的技术发展回顾   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文是关于GY-340厌氧胶及其相关产品的一些研制情况回顾和评论,并介绍了用组合引发剂的厌氧胶可以获得较好的固化和贮存性能。  相似文献   
20.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。  相似文献   
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