基于DHTML和RDO的Web数据库开发技术

对目前用的ＣＧＩ,ＡＳＰ等开发ＷＥＢ数据库的方法进行了分析比较,说明了产特点,进而 基于ＤＨＴＭＬ和ＲＤＯ技术的ＷＥＢ数据库开发技术,介绍了一种使用微软Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ６．０集成开发工具结合ＤＨＴＭＬ技术开发ＷＥＢ数据库的具体方法,最后通过实例文章说明了如何将该技术使用于实际的ＷＥＢ数据库的开发中。     

Windows系统中基于GPS的对时方法的研究

目前各种控制系统中,通常采用广播校时的方式,对同一网络内的计算机进行时间同步。由于传播过程中的网络延时、网络传输速度等原因,采用这种方式的校时精度很难得到保证。针对这种情况,提出了一种基于GPS全球定位系统的校时方法,采用了精粗组合的手段提高了校时的精度。实验结果表明,该方法校时精度较高,具有一定的实用性。     

黄河流域实施水功能区限制纳污红线管理的整体构想与初步实践

水功能区限制纳污红线管理是实行最严格水资源管理制度的核心内涵之一。黄河流域水安全问题是中国水安全问题的缩影,探索构建行之有效且具有黄河流域特色的纳污红线管理制度体系和工作格局,对于提高黄河流域水安全保障能力意义重大。针对黄河流域的水资源质量状况,探索建立流域与区域相结合、水利与环保相联合的黄河水资源保护管理体系,构建流域水功能区划及水资源保护规划体系,依法强化以入河排污口为重点的水功能区管理,积极探索水生态系统保护与修复,加强水质监测网络体系建设等一系列措施,为黄河流域实施纳污红线管理提供了良好的工作基础和能力支撑,并在此基础上阐述了黄河流域实施纳污红线管理的整体构想与初步实践。     

太湖流域1：50000水利基础电子地图数据库建设

为扩大太湖流域空间数据库数据的覆盖范围,提高数据完整性,太湖流域管理局组织在原有1：250000水利基础电子地图的基础上开展1：50000水利基础电子地图数据库的建设。介绍太湖流域1：50000水利基础电子地图数据库建设的背景及资料收集的情况,描述水利基础电子地图数据库建库的流程。针对建设成果的复核,以河流图层为例介绍图形和属性数据复核的方法,并为满足成果展示的需求,提出河流分级的几点原则,以期为下一步开展流域水利普查和防汛抗旱、水资源管理工作提供基础数据。     

除氧器故障自诊断专家系统设计与研发

提出了一种基于传统报警方式触发的电站故障自诊断专家系统.以除氧器为诊断对象,采用报警状态信息触发专家推理过程,利用实时征兆以及规则库进行故障类型的有效实时诊断.现场测试表明,诊断结果准确,且具有一定的容错性.     

一种基于主动避让的认知无线网络路由维护方案

在认知无线电网络中,主用户使用授权频段时认知用户需要避让。这将导致认知用户原路由上工作频率的频繁切换。为了尽量减少这种切换,维持原路由上数据持续高效地传输,提出了一种优化的认知无线网络路由维护方案。在认知无线网络中,当认知用户测得主用户存在时先测试主用户的运动速度、运动方向等信息,继而根据主用户实际的运动情况判断认知用户是否可以避让。仿真结果显示,认知用户通过有效的避让既避免了对主用户的干扰,又维持了认知网络原路由继续工作。     

变压器铁心内部故障分析

系统地介绍了变压器铁心故障的原因、类型、表现特征和处理方法,并用实例演示了查找铁心故障的全过程。合理运用油色谱分析的三比值法、四比值法和变压器空载试验,可以快速全面地查处故障点,最后介绍了查找铁心故障的几点经验,如在铁心接地线上装设电流表,当一个故障找到时,不能放弃其他试验检查等,以保证变压器安全稳定运行。     

Numerical simulation and comparison of electrical characteristics between uniaxial strained bulk and SOI FinFETs

In this paper, electrical characteristics of 25 nm strained fin-typed field effect transistors (FinFETs) with oxide-nitride-stacked-capping layer are numerically studied. The FinFETs are fabricated on two different wafers, one is bulk silicon and the other is silicon-on-insulator (SOI) substrate. A three-dimensional device simulation is performed by solving a set of density-gradient-hydrodynamic equations to study device performance including, such as the drain current characteristics (the I_D-V_G and I_D-V_D curves), the drain-induced barrier height lowering, and the subthreshold swing. Comparison between the strained bulk and SOI FinFETs shows that the strained bulk FinFET is promising for emerging multiple-gate nanodevice era according to the manufacturability point of view.     

Numerical simulation of electrical characteristics in nanoscale Si/GaAs MOSFETs

In this paper, electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with silicon/gallium-arsenic (Si/GaAs) stacked film are numerically studied. By calculating several important device characteristics, such as the on-state current, the subthreshold swing, the drain induced barrier lowering, the threshold voltage, the threshold voltage roll-off, and the output resistance, a 50 nm Si/GaAs MOSFET is simulated with respect to different thicknesses of Si/GaAs film. Compared with the results of pure Si MOSFET, Si/GaAs MOSFET shows promising characteristics after properly selecting the thickness of Si/GaAs film. Among Si, germanium (Ge), and Si/Ge MOSFETs, Si/GaAs MOSFET relatively exhibits a higher driving capability due to higher carrier mobility within the Si/GaAs film. However, quantitatively accurate estimation of device characteristics will depend upon more precise calculation of band structure of the stacked film.