石墨烯热电器件栅控特性研究

为了获得一种稳定可控的能源，提出一种栅控石墨烯热电器件。通过对石墨烯通道的载流子输运机理的分析，获得了温度和栅压对通道电阻的影响。依据半经典Mott公式推导了石墨烯塞贝克系数的表达式，同时给出了石墨烯的电导率和热导率模型。最后通过有限元分析(FEA)建模获得不同栅压条件下的器件温度，当栅极电压V_B=0 V时，石墨烯热电器件热端和冷端温度差为30 K；当V_B=6 V时，最大温差达到50 K；当V_B=30 V时，最小温差只有10 K。结果表明，栅压对热电器件的性能有明显的调控性。该研究可为石墨烯热电器件的设计提供理论参考。     

基于不同差分格式的硬盘气膜润滑方程数值求解

为提高计算效率与计算精度，采用不同差分格式求解硬盘的磁头/磁盘界面气膜润滑方程，分析不同差分格式对磁头/磁盘界面气膜润滑压力分布模拟结果的影响。给出中央格式、上风格式、混合格式、QUICK格式、指数格式、乘方格式6种差分格式相应的离散方程格式，选取气膜润滑方程的线性流率（LFR）模型进行压力模拟，并与精确解进行比较。结果表明：6种差分格式都能够模拟出磁头滑块的压力分布情况，且当网格密度足够大时，得到的数值解与精确解基本一致；指数格式在不同网格密度下，均具有很高的稳定性，较之其他格式计算效率高，模拟效果更好；当网格密度足够大时，中央格式计算效率高，优于指数格式。     

Enhanced piezoelectric strain of BiFeO3–Ba(Zr0.02Ti0.98)O3 lead-free ceramics near the phase boundary

The xBiFeO₃-(1-x)Ba(Zr_0.02Ti_0.98)O₃ + 1.0 mol% MnO₂ (xBF-BZT) lead-free piezoelectric ceramics were prepared by conventional solid-state reaction method. The structure, dielectric, and piezoelectric properties were studied. X-ray diffraction (XRD) analysis showed that xBF-BZT ceramics exhibited pure perovskite structure with the coexistence of tetragonal and rhombohedral phases (0.66 ≤ x ≤ 0.74). The Curie temperature T_c, the dielectric constant ε_r (1 kHz), dielectric loss tanδ (1 kHz), piezoelectric constant d₃₃, coercive field E_c (80 kV/cm), and remnant polarization P_r (80 kV/cm) of 0.7BF-0.3BZT-Mn ceramics were 491°C, 633, 0.044, 165 pC/N, 35.6 kV/cm, and 22.6 μC/cm², respectively. The unipolar strain of 0.7BF-0.3BZT reached up to 0.20% under the electric field of 60 kV/cm, which is larger than that (0.15%) of BiFeO₃–BaTiO₃ ceramics. These results indicated that the xBF-BZT ceramics were promising candidates for high-temperature piezoelectric materials.     

Ru/MCM-41催化剂上苯的液相加氢反应

 以Si-MCM-41、Al-MCM-41(1) (n(Si)/n(Al)=15)、Al-MCM-41(2) (n(Si)/n(Al)=10)以及用NH4NO3或HAc的醇溶液分别与Si-MCM-41离子交换所得的H-MCM-41(N)和H-MCM-41(H)为载体制备了系列Ru/MCM-41催化剂。采用N2吸附、XRD和H2-TPR表征了负载Ru前后催化剂的结构及Ru在各种载体表面上的分散状态。以0.5%（质量分数）苯的环己烷溶液为模型化合物，在298K、3.0MPa反应条件下，考察了上述催化剂的苯液相加氢反应性能，并与Ru/HY、Ru/H和Pt/MCM-41催化剂进行了比较。结果表明，载体MCM-41的n(Si)/n(Al)和表面化学组成等性质对Ru在其表面上的分散状态、还原性及催化性能均有影响。对苯的转化率与反应时间的关系曲线进行拟合，发现其遵循一级动力学方程，加氢反应速率常数按照Ru/Al-MCM-41(2)相似文献   

基于对比折射法的三维静校正技术及其应用

在地形起伏剧烈、速度和厚度横向变化大的地区，折射静校正技术的应用受到诸多限制，主要表现在不能准确地识别和拾取来自于地下连续地质界面的折射波，使得精确求取的长波长静校正量困难。为此，提出了一种基于对比折射法的三维静校正技术。介绍了这种静校正技术的方法原理和特点，基于对比折射法的折射波至拾取实质上是一个折射层的对比分析解释过程，因此能准确地拾取折射波至，精确地求解低速带的绝对延迟时；然后利用延迟时和近地表速度模型（等效，时深，空变）反演表层模型，最终一次性完成基准面静校正（包含低速带校正和高程校正）。在黄土塬、沙漠以及沙漠和山地的接合部等地区，利用基于对比折射法的三维静校正技术进行静校正处理，使资料的品质得到了明显改善，反射同相轴连续性好，信噪比和分辨率高，构造形态清晰可靠，提高了勘探精度。     

甲磺酸铜催化合成草酸二异戊酯

制备了甲磺酸铜催化剂,对其结构进行了IR和热重分析,并用于催化草酸和异戊醇的酯化反应。结果表明,甲磺酸铜具有催化活性高、稳定,易分离,重复使用性能优良,对环境友好的特点。最佳酯化工艺条件为:n(异戊醇):n(草酸)=2．8:1,w(甲磺酸铜)=0．3％,以过量的异戊醇为带水剂,回流反应2．0 h,酯化率可达到96．8％。     

信息系统灾难恢复能力评估方法研究

论文提出了一种信息系统灾难恢复能力评估方法:信息资产分析方法、本地灾难恢复和远程灾难恢复等级的划分方法,并在此基础上,利用AHP层次分析法,构建了一套灾难恢复能力评估指标体系。该方法可以使评估结果具有更好的针对性和全面性。     

一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计

文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF（2^233）域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上，提出了一种新的可支持GF（2^233）域和GF（p）域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF（p）CA算迟后于GF（2^233）域运算的问题，从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0．18μm最坏的工艺，综合后关键路径最大时延3．8ns，面积18mm^2；考虑布局布线的影响，芯片的典型的情况下，每秒可实现8000次签名或4500次认证。     

红外干扰技术的发展趋势

介绍了红外干扰技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了在现代战争中发展红外干扰技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外干扰的技术性能及其特点,最后论述了红外干扰技术的发展现状与趋势.