半球形传爆药装药结构的特点分析

针对半球形这一新型传爆药装药结构,通过对其输出波形、拐角效应现象及有效冲击波压力作用面积等的描述和分析,初步了解了半球形装药结构的特点,以其对其他结构的新型传爆药装药结构的认识提供参考.     

HAN合成工艺研究进展

本文介绍了硝酸羟胺的基本性质,综述了硝酸羟胺(HAN)的合成方法,对主要工艺的特点、原理进行了归纳总结,指出了各方法的优缺点。     

气体ClO2对葡萄致腐菌的杀菌及保鲜效果研究

以巨峰葡萄为试材,研究气体ClO2浓度和作用时间对接种于葡萄表面的灰葡萄霉菌、青霉和交链孢霉的杀菌效果的影响.结果表明,气体ClO2对接种于葡萄表面的3种霉菌具有良好的杀菌效果,杀菌率随气体ClO2浓度增加和处理时间的延长而提高.在气体ClO2浓度为10 mg/m3,杀菌时间为40 min条件下,灰葡萄霉菌、青霉及交链...     

壳体密封性对小尺寸弹药快速烤燃响应规律的影响

选用钝化RDX原料,对不同密封性的装药壳体进行弹药的快速烤燃试验.利用热电偶测得了弹药壳体不同位置的温度变化,并将自行编制的软件应用到试验时间和温度的同步采集中,分析了不同密封条件下弹药的响应规律.结果表明,软件能够精确采集温度随时间变化的曲线;在相同装药条件下,随壳体密封性的增强,壳体破裂程度越大,破片越碎小,炸药发生快速烤燃反应的剧烈程度也越大.     

溶胶-凝胶法制备RDX/SiO_2膜

采用溶胶-凝胶法配制一定比例的SiO2溶胶,恒温(55℃)陈放一定时间后形成凝胶,同时滴加RDX的丙酮溶液,用玻璃基片提拉干燥得到RDX与SiO2质量比为4∶1的复合膜,讨论了温度和溶胶陈化时间对膜质量的影响.结果表明,在温度恒定并且黏结剂含量一定时,溶胶陈化时间短,所得薄膜厚度小,较平整,但黏性小,干燥后脆裂;溶胶陈化时间较长时,所得薄膜厚度大,黏性大,但易结块;扫描电镜显示,RDX/SiO2复合膜中RDX和SiO2分布均匀.溶胶凝胶法制备RDX/SiO2复合膜中组分含量可调,在微型火工品中具有潜在应用价值.     

无网格方法的研究应用与进展

无网格方法是一种比较新的数值方法,是有限元等传统的数值分析方法的重要补充和发展.它的优点就是节点离散.目前,无网格方法得到了迅速的发展,是科学和工程计算方法研究的热点和发展趋势.文章阐述了无网格方法及其发展,并对其目前的应用领域予以探讨和发展前景给予展望.     

多元可燃性混合气体最大爆炸压力的简化计算

研究多元可燃性混合气体在定容、绝热情况下发生爆炸时最大爆炸压力的简化计算方法.分析了多元可燃性混合气体煤气的组分及各组分气体的热力学性质,根据热力工程学计算出混合气体的热力学性质,并将该混合气体作为单一气体简化其热化学反应方程式,提出了计算混合气体反应终态温度的方法,在此基础上求解出不同煤气体积分数下最大爆炸压力的理论值;利用爆炸特性参数测试系统实测了对应的不同煤气体积分数下的最大爆炸压力值,并与理论计算值进行了比较分析.结果表明,简化计算方法所得的多元可燃性混合气体最大爆炸压力与实验测试结果基本吻合,为可燃性气体爆炸工程应用提供了一个有效的近似估算方法.     

凹球型传爆药装药结构研究

目的　为了提高传爆药柱的起爆威力 ,解决钝感主装药的可靠起爆问题 .方法　应用炸药的冲击起爆理论、冲击波汇聚理论、有效装药理论等 .结果　设计了两种凹球型传爆药装药结构 .结论　利用主装药变组分法等实验方法对新结构传爆药的起爆威力与常规圆柱型传爆药进行了对比实验 .实验表明 ,新结构传爆药的起爆威力较常规圆柱型传爆药的起爆威力明显提高     

非均质炸药冲击起爆的临界判据研究

本文通过分析炸药内部侧向能量分配对热点能量传播的影响，提出了面积效应系数，纠正了以往判据中的不科学性，得到了更合理的透射冲击波起爆判据，并对透射冲击波起爆过程中爆轰界面的关键参数ｐ（ｔ）关系进行了推导     

不同晶体特性CL‍-20热晶变规律与动力学

六硝基六氮杂异伍兹烷（CL-20）的晶型转变与控制技术是含能材料领域的热点,也是其应用推广时必须解决的关键问题。为了更加深入掌握不同晶体特性ε-CL-20的晶型转变规律与机制,采用原位X射线粉末衍射仪技术,对其热晶变行为及等温晶变动力学进行研究,探讨了晶体表面及内部缺陷对CL-20的ε→γ热晶变行为的影响,计算了不同晶体特性ε-CL-20的等温晶变动力学并获得了相关参数。结果表明,温度是影响ε-CL-20热晶变的主导因素,对于几十到几百微米的ε-CL-20,随着晶体内部及表面缺陷的增多,热晶变起始温度降低、热晶变速率增大。与粒径100μm的ε-CL-20晶体相比,超细ε-CL-20(0.5～1μm)的热晶变起始温度更高,热晶变速率也较快,并从晶体缺陷的两面性解释了超细ε-CL-20的异常热晶变行为。CL-20在热刺激作用下发生ε→γ晶变时,晶体的表面缺陷及内部缺陷作为相变过程的薄弱环节对其有诱导作用,γ晶型在ε-CL-20晶体上成核势垒较低的空位、杂质或位错等缺陷处优先成核,随后在这些位置逐渐长大。