基于界面追踪法的KHI直接数值模拟

利用界面追踪法对三组分不混溶流体的开尔文-亥姆霍兹不稳定性(Kelvin-Helmholtz instability， KHI)进行直接数值模拟。并针对中间流体层密度及黏度、重力、表面张力及剪切力对KHI的影响进行了着重探讨。研究结果表明，理查德森数增大不仅能够抑制界面的演化，同时还会限制界面的退化。除此之外，卷起高度和KHI的增长速率与弗劳德数之间呈正相关关系。表面张力能够抑制KHI向内发展，随着表面张力系数的增大，KHI向内的发展会逐渐变慢。但当波数较小时，表面张力对KHI向上发展的影响很小，且当界面的波数大于4时不会触发KHI的典型形式。剪切力越大，界面卷起高度和增长速率越大。     

置氢Ti65钛合金高温流变行为和热加工性能

Ti65钛合金具有优良的高温强度、热稳定性与抗蠕变性能，但其热成形温度高、变形抗力大。热氢处理作为一种钛合金高温增塑工艺，可以显著降低Ti65钛合金高温成形时的变形抗力，改善其热加工性能。为了研究置氢量对Ti65钛合金高温流变行为和热加工性能的影响，探究Ti65钛合金最佳置氢量和成形工艺窗口，对不同置氢量下的Ti65钛合金试样进行热压缩实验。结果表明，置氢Ti65钛合金在790～940℃温度范围内变形时，最佳置氢量(质量分数)为0.25%,与未置氢钛合金相比，峰值应力的降幅约为66.8%。基于真应力-真应变曲线数据，建立了0.25%置氢量时Ti65钛合金的Arrhenius本构方程，以及真应变为0.2、0.4和0.6条件下的热加工图。研究发现，Ti65钛合金在840～880℃、应变速率大于0.01 s^-1区域附近变形时，出现失稳现象，随着应变的增大，失稳区域收缩；而在790～840℃、应变速率为0.01～1 s^-1区域内变形时，具备良好的热加工性能。     

多分立电流源低噪声JFET差分放大技术研究

结型场效应管具有输入阻抗大、噪声低的优点,已被广泛用于设计高性能瞬变电磁传感器前置放大电路。然而,由于同一型号JFET器件间参数差异较大,多个JFET器件差分并联放大时难以匹配工作。针对这一问题,本文提出了一种基于多分立电流源的低噪声JFET差分放大技术,结合每一路JFET放大支路电路特性单独设计恒流源,并调整为最佳静态工作点,以消除JFET参数离散性引发的放大支路不均流、无法可靠工作问题。最后,通过LTspice仿真与实际电路测试结果表明基于该技术设计的差分放大电路能够可靠工作,其中每一JFET支路电流均为4.68mA、增益达到40.00d B,且具有较低的本底噪声(0.51n V/■@1.10k Hz)。本文提出的新方法能够有效消除JFET参数离散性问题,为设计差分并联低噪声TEM传感器前置放大电路奠定良好的技术基础。