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工业技术 | 160篇 |
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2024年 | 2篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 4篇 |
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2001年 | 1篇 |
2000年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1989年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
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151.
采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,制备出效率达6.7%的微晶硅太阳电池(Jsc=18.8mA/cm2,Voc=0.526V,FF=0.68),电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si∶H)/i(μc-Si∶H)/(a-Si∶H)/Al,没有ZnO背反射电极. 相似文献
152.
153.
154.
155.
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶 硅薄膜材料。光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行 判别。实验表明,随着硅烷浓度的增加,等离子体中SiH*、Hβ*、Hα*和H2*缓慢增大,而Hα*/SiH*单调下降; 随着辉光功率的增大,Hα*迅速增大,而SiH*、Hβ*和H2*趋于饱和,Hα*/SiH*单调上升;等离子体的辉光强度 主要跟SiH、Hβ*和H2*数量成正比。 相似文献
156.
157.
158.
设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20dB。在DC~40GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5dB,隔离度优于-20dB。所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20~40GHz的频率范围内。 相似文献
159.
160.
在三维激光SLAM中,激光里程计的求解精度对建图精度有着至关重要的作用.为定量分析前端激光里程计中点云匹配方法的效率和精度,本文根据2种不同的点云匹配方法:迭代最近点ICP,正态分布变换NDT,搭建了前端激光里程计,并分别在KITTI数据集上进行了仿真实验,得出了绝对位姿误差和相对位姿误差,结果表明NDT算法精度和鲁棒... 相似文献