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71.
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV  相似文献   
72.
介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果. 制作了几种0.6μm栅长、100~1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100, 300和500μm的器件,典型最大跨导为190~170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56, 46和40GHz. 测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V, Id=310mA, Pin=25.19dBm时,Po=30dBm (1W) ,Ga=4.81dB; Vds=18V, Id=290mA, Pin=27dBm时,Po=31.35dBm (1.37W) ,Ga=4.35dB.  相似文献   
73.
当平面P-N结反向偏置,特别是反向击穿时,常常出现反向优安特性曲线随时间的蠕变,反向电流大大增加.本文给出了各种结构图形和结构参数对这种蠕变影响的实验结果,并分析讨论了其产生机构.  相似文献   
74.
介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100~1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190~170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56,46和40GHz.测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V,Id=310mA,Pin=25.19dBm时,Po=30dBm(1W),Ga=4.81dB;Vds=18V,Id=290mA,Pin=27dBm时,Po=31.35dBm(1.37W),Ga=4.35dB.  相似文献   
75.
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=10 mA,Vce=2 V时,fT和fmax分别为60、75 GHz,电流密度为100 kA/cm2,击穿电压大于3 V;跨阻放大器的跨阻增益为58 dBΩ,灵敏度为-23 dBm,3 dB带宽为8.2 GHz.该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信.  相似文献   
76.
微波晶体管的几何图形设计是决定可靠性和射频性能的主要因子。这里比较了几种主要结构及各自的优点。  相似文献   
77.
78.
本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.  相似文献   
79.
80.
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