面向运行的绿色设计技术系统研究

通过振动测试系统的开发研究和理论建模，对理论振型计算和测试结果进行比较分析，提出了对变速器性能、振动与噪声的综合设计改进方案。     

Light controlled prebreakdown characteristics of a semi-insulating GaAs photoconductive switch

A 4 mm gap semi-insulating(SI) GaAs photoconductive switch(PCSS) was triggered by a pulse laser with a wavelength of 1064 nm and a pulse energy of 0.5 mJ.In the experiment,when the bias field was 4 kV, the switch did not induce self-maintained discharge but worked in nonlinear(lock-on) mode.The phenomenon is analyzed as follows:an exciton effect contributes to photoconduction in the generation and dissociation of excitons. Collision ionization,avalanche multiplication and the exciton effect can supply carrier concentration and energy when an outside light source was removed.Under the combined influence of these factors,the SI-GaAs PCSS develops into self-maintained discharge rather than just in the light-controlled prebreakdown status.The characteristics of the filament affect the degree of damage to the switch.     

用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究

报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.     

Experimental Research on Inhibition of Surface Flashover Based on High Power Gallium Arsenide Photoconductive Switches Triggered by Laser

Semi-insulating gallium arsenide （GaAs） photoconductive semiconductor switches （PCSS） have great potential for high voltage switching application, however, the ...     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型     

半绝缘GaAs光电导开关线性传输特性的研究

实验研究了具有微带同轴联结方式的横向GaAs光电导开关 (触发光源用波长 10 6 4nm、脉宽 15ns的Nd :YAG激光器 ,电极间隙为 2 .8和 4mm)在线性工作模式下的瞬态电压传输效率 (它在开关偏置电压一定时随触发光能量的增加而提高 ,最高可达 93% ) ,并观察到了输出电压波形的双极性现象 ,还用等效电路模型分析了开关的电压传输特性 ,理论与实验结果相吻合。     

半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式

在半绝缘GaAs光电导开关币发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极前畴的猝灭可导致开关输出电流的振荡频率高于畴的渡越时间频率.根据开关上作电路条件及畴特性给出了猝火畴模式的等效电路,计算了相应的电路参数,计算结果与实验基本吻合.该研究为提高光注入畴器件的振荡频率及工作效率提供了理论和实验依据.     

中式快餐发展的若干问题探讨

在现阶段的经济发展水平与产业背景下 ,中式快餐企业要强化面向市场的、符合目标顾客群的市场定位意识 ,必须把追求生产流程标准化的理想作为长期目标 ,在与洋快餐的比拼中更要持一种理性的学习态度。中式快餐产业将以渐进的方式从快餐消费的中低端市场走向快餐消费的高端市场 ,这一走向产业成熟的进程必将是长期的。渐进式发展策略将成为中式快餐业发展的战略选择     

离心固液两相流泵中固相效应系数求解

根据固相颗粒的受力分析建立了固相颗粒的运动微分方程；然后，利用运动微分方程推导得出固相效应系数公式。对得出的全新浆体扬程计算公式与几种文献方法进行了对比计算。发现：浆体扬程计算的相对误差的误差带较窄。全部在2．00％以内。并且相对误差稳定，跳跃性不大；此方法准确度高，计算出的浆体扬程相对误差很小，而且计算过程简单，随意性小。     

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．