光固化快速成形中网形支撑生成算法的研究

本文研究了一种新的光固化快速成形工艺支撑形式——网形支撑,并提出实现STL格式实体支撑的自动生成算法,即对实体按支撑角度分区域支撑生成算法。该算法生成支撑速度快,容易制作,在强度等方面更能满足工艺要求,该算法已成功应用于光固化快速成形系统中。     

基于OPC协议的高性能伺服压力机控制系统研究

研究了1000kN伺服压力机的控制系统。为了满足伺服压力机大型化发展的需求,机械系统采用双螺杆驱动结构,并通过虚拟主轴同步控制及优化设计机械结构,解决了双电机同步控制难的问题;针对运动曲线设计柔性化、简单化的需求,提出了一种三次样条拟合的曲线规划方法,以实现伺服压力机自定义运动曲线功能;控制系统采用上位PC机与运动控制器的架构模式,通过OPC通讯协议实现PC机与西门子Simotion运动控制器之间的参数传递互联。     

干法和湿法调配真空冷冻干燥牛蒡粉品质分析及优化

为了提高牛蒡粉体的质量品质,文中采用正交设计方法进行工艺优化。考察分析了麦芽糊精浓度、蔗糖浓度和到羧甲基纤维素钠(carboxy methylated cellulose,CMC)浓度等因素对冷冻干燥制造牛蒡粉的影响,采用线性加权法,将多目标综合优化,确定干燥工艺的最优参数组合;并分析比较了干法和湿法2种不同的冷冻干燥制粉工艺对牛蒡粉颗粒特征以及微观结构等方面的影响。研究结果表明,麦芽糊精对粉体的品质影响显著,最优干法工艺参数为:麦芽糊精添加量为15%(质量分数)、蔗糖添加量为12%(质量分数)、CMC添加量为0.25%(质量分数),最优湿法工艺参数为:麦芽糊精添加量为25%(质量分数)、蔗糖添加量为12%(质量分数)、CMC添加量为0.2%(质量分数);湿法配制的粉体相比于干法配制的粉体,粒径适中,分布较广,整体溶解性能较佳。     

数控液压板料折弯机控制系统的研究与实现

研究并实现了一种基于PC的开放式折弯机控制系统。该系统硬件平台基于华中数控公司的华中8型系统,具有良好的可扩展性。控制系统软件运行在Windows XP平台下,人机交互界面和工艺规划计算模块等采用C++语言开发运行在操作系统的用户态,核心控制算法基于设备驱动程序开发运行在其核心态。实验验证,Y轴定位精度达到±0.01mm,X1轴定位精度达到±0.1mm,并且能够很好地满足Y轴同步控制的要求。     

缢蛏超高压保鲜工艺的研究

以缢蛏为研究对象,采用超高压处理对缢蛏的保鲜工艺进行研究。主要研究了在不同压强、不同加压温度、不同保压时间下,超高压后缢蛏的菌落总数、挥发性盐基氮(TVB-N)2项指标的变化,继而确定缢蛏超高压保鲜的最佳工艺条件,并研究了超高压处理后缢蛏在4℃保藏过程中感官、营养成分等品质的变化影响。结果发现:500 MPa、20℃、15 min为缢蛏最优的超高压保鲜工艺条件,经此最优超高压条件处理后的缢蛏样品菌落总数明显下降,挥发性盐基氮维持在较低水平,缢蛏的营养成分及感官品质受到的影响较小。     

34μm孔径GaAs偶极子光电导天线辐射特性仿真研究

光电导天线的辐射特性仿真是设计和制造光电导天线的重要依据。将蒙特卡洛经验公式修正的GaAs迁移率随电场强度的变化关系引入德鲁德-洛伦兹模型,分析了光电导天线载流子输运情况。又将德鲁德-洛伦兹模型计算的光生载流子密度与时域有限差分方法相结合,得到34 m孔径GaAs偶极子光电导天线的时域、频域及三维辐射特性。辐射峰值为0.8 THz,频谱宽度大于1 THz,与太赫兹时域光谱系统实际测量得到的数据吻合。结果表明:仿真方法正确可行,能够为设计和制造高增益、宽频带的太赫兹光电导天线提供参考依据。     

PBKDF2函数的一种快速实现

PBKDF2是公钥加密标准PKCS#5的一部分,它在各类加密软件和互联网中应用广泛.对基于口令的密钥导出函数PBKDF2的实现进行了分析,给出了该算法的一种快速实现的优化方案.对优化方案进行了理论分析,并针对802.11协议的WPA/WPA2-PSK认证进行了优化方案的实验,均表明优化方案的实现效率是优化前的两倍.通过进一步的分析还发现,依赖于PBKDF2的身份认证方案抵抗暴力攻击的能力最多只有预期的一半,因此应当增加其循环次数.     

保证WNS燃油（气）锅炉制造质量工艺措施

通过对WNS系列湿背式燃油锅炉结构特点的分析,提出合理的组装工艺和焊接工艺,对其全过程进行严格的控制和管理,才能保证锅炉的制造质量,确保锅炉设备的安全可靠运行。     

礁滩型高压边水气藏开发特征及对策———以阿姆河右岸区块 Ｙ气田为例

为了研究连片礁滩型高压气藏开发特征以及高效开发对策,以阿姆河盆地 Ｙ气田异于常规气藏的开发特征为例,深入剖析了引起单井产能、连通性变化的主要原因,系统研究了水侵规律及对气藏开采带来的不利影响,针对性地提出了系列开发对策,经过 ３年的严格实施,气藏开发取得显著成效,可为同类型气藏优化开采提供有效的借鉴。研究结果表明,高压气藏开发早期应力敏感对以低角度缝为主的单井产能影响大,随着地层压力降低,影响逐渐减弱,而以高角度缝为主的单井应力敏感影响小,产能保持程度较好;高压气田进入开发中期,连通性存在局部变差的现象;沿断裂带分布的裂缝发育区是水侵优势通道,见水后水气比上升快,“控水”是控不住的,全气藏关井后,水气比再上台阶;保持合理采气速度开采对连片礁滩型高压气藏提高开采效果尤为重要;持续贯彻“内控外排”开发对策,保持气田排侵平衡,对防止水体进一步侵入气藏具有重要作用。     

漏及衬底偏压对深亚微米工艺器件总剂量效应的影响

本文对采用0.18?m工艺制造的NMOS器件辐射总剂量效应进行了研究。对晶体管进行了不同剂量的₆₀Co辐射实验,同时测试了辐照前后晶体管电学参数随漏、衬底偏压的变化的规律。采用STI寄生晶体管模型来解释晶体管的关态漏电流及阈值电压漂移性质。3D器件仿真验证了模型的准确性。