低损耗衬底上实现无源低通滤波器

分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.     

热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响

将 CMOS工艺和微机械加工技术相结合 ,制作出悬空式微桥支撑、薄膜支撑以及无悬空结构的微机械多晶硅薄膜电阻。通过对样品的电阻温度系数 ( TCR)和电流 ( I) -电压 ( V)特性的测量 ,研究了热隔离程度、工作气压等热环境对多晶硅薄膜电阻电学特性的影响程度     

PZT材料在射频滤波器中的应用

锆钛酸铅 (PZT)材料有着优良的压电性能 ,其薄膜具有高机电耦合系数、高品质因数的特点 ,适合于制作低插损、大带宽的射频 (RF)滤波器。文中介绍了 RF体声波滤波器的原理、结构和 PZT的材料特性 ,探讨了PZT薄膜的制备、退火、刻蚀工艺的选择与优化 ,并在此基础上设计了应用 PZT薄膜的体声波滤波器 ,模拟了该器件的性能     

硅盒结构集成MOS环振式压力传感器

本文报道了一种硅盒结构的、具有频率输出的集成MOS环振式压力传感器。结果表明,与该结构相对应的硅盒技术与IC工艺完全兼容,非常适合集成压力传感器的制作,为进一步研制各种集成压力传感器提供了一种简单的、先进的技术。文中还讨论了硅盒结构PMOSFET的力敏特性。     

RF MEMS器件面面观

RF-MEMS器件的出现,适应了现代光刻技术和硅IC技术、无线通讯技术的发展的需要,因此很快引起学术界和工业的巨大的重视。可以预言,RF-MEMS器件将很快从实验室走向生产实际,在国民经济的各个方面包括通讯、航天航空技术、交通技术、生物医学领域以及国防工业中发挥重要作用。     

Mn掺杂BST薄膜的制备与表征

采用醋酸水溶液体系溶胶－凝胶法制备了未掺杂和掺Mn(II）钛酸锶钡（BST）薄膜。用这种方法。可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子，并可在室温下长期保存，根据X－射线衍射图（XRD）和表面形貌，薄膜的晶化温度取为650－750℃，根据掺Mn BST的Mn2p3/2X－射线光电子能谱（XPS）图中Mn2p3/2的峰位置，显示出薄膜中Mn的价态与加入Mn(II)离子价态相同，根据结合能的峰移，可以得到掺Mn BST的费密能级降低0．7eV.I-V特性和介电特性测试表明，掺Mn(II)BST的漏电流明显降低，相对的介电常数增加，损耗角正切降低0．01，根据漏电性质，介电常数和损耗的关系，2％（摩尔分数）的Mn掺杂的BST薄膜适合于低频小信号（2V以下，约500kHz)应用，而高浓度的Mn掺杂适合于大信号较高频率（1MHz以上）应用。     

用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义.采用多孔硅厚膜作为隔离层,能够极大地降低衬底高频损耗.本文对n 型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究.通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性.有效地减少了多孔硅的龟裂失效,得到的多孔硅最大膜厚为72μm.并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌.     

硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了有ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）过渡层的硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜，顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜，测试结果表明有ＰＴ过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能。     

利用退火方法降低自旋阀薄膜的矫顽力

降低自旋阀薄膜矫顽力对于制作巨磁电阻(GMR)传感器非常重要。报告了利用退火方法降低自旋阀薄膜矫顽力的实验结果,介绍了数值模拟退火的条件和方法,借助计算机对退火实验的条件及其实验结果进行了模拟。结果表明,模拟后的结果可以用来进一步优化退火条件,并不再需要做大量退火实验。使用优化后的退火条件大大降低了自旋阀薄膜的矫顽力同时可保持自旋阀的磁电阻变化率(MR)在较高的水平。介绍了不同退火参数下的模拟实验,结果显示退火前样品的的矫顽力为358.2 A/m、MR为9.24％,退火后其分别降到3.18 A/m和8.54％,表明数值模拟方法可以较好地拟合自旋阀薄膜的退火条件及实验结果,并有助于优化退火条件。     

磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta／buffer layer／IrMn／CoFe／Cu／CoFe／NiFe／Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了30000e强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8．51％,矫顽场为0．50e,交换偏置场超过8000e。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。