高温CMOS集成电路闩锁效应分析

本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合.     

图像数据库的模糊检索方法的探讨

这篇文章证明了在图形、图像数据库中基于模糊集合的检索方法可以实现精确的检索和控制检索范围，达到控制连续语义变化检索的目的，并用模糊对象分层树的方法实现了图形、图像数据库中的模糊检索，最后给出一个例子。     

CTM俘获层材料选取的模拟研究

电荷陷阱存储器(CTM)由于其分离式电荷存储原理,可以使存储器件尺寸持续小尺寸化,理论上解决了传统浮栅存储器小尺寸化瓶颈的限制。基于第一性原理,从理论上对CTM材料及相关结构进行了模拟计算,采用Material Studio软件包,对多种电荷俘获材料进行改性,引入陷阱,并对其能带、状态密度、缺陷态密度等方面展开模拟研究。为CTM实验提供了非常有效的理论依据与方法,从该角度出发研究存储器是一个全新的视角,提出可以通过陷阱态密度曲线的部分积分来确定CTM的存储窗口等衡量指标。     

Conductive Filament Formation in the HfO2：First Principles study

The conductive path formed by the interstitial Ag or substitutional Ag in HfO2 was investigated by the Vienna ab initio simulation package (VASP) based on the DFT theory. The calculated results indicated that the ordering of interstitial Ag ions at special positions can form a conductive path while it can not form at other positions. Then the orientation dependence of this conductive path was investigated. Some types of super cells are also built to study the rupture of path, corresponding to some possible “off” states.     

MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.     

基于Si3N4的电荷俘获型存储器中氧缺陷的第一性原理研究

Based on first principle calculations, a comprehensive study of substitutional oxygen defects in hexagonal silicon nitride （β-Si3N4） has been carried out. Firstly, it is found that substitutional oxygen is most likely to form clusters at three sites in Si3N4 due to the intense attractive interaction between oxygen defects. Then, by using three analytical tools （trap energy, modified Bader analysis and charge density difference）, we discuss the trap abilities of the three clusters. The result shows that each kind of cluster at the three specific sites presents very different abilities to trap charge carriers （electrons or holes）： two of the three clusters can trap both kinds of charge carriers, confirming their amphoteric property; While the last remaining one is only able to trap hole carriers. Moreover, our studies reveal that the three clusters differ from each other in terms of endurance during the program/erase progress. Taking full account of capturing properties for the three oxygen clusters, including trap ability and endurance, we deem holes rather than electrons to be optimal to act as operational charge carriers for the oxygen defects in Si3N4-based charge trapping memories.     

摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性

采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet model)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.     

红外小目标检测跟踪系统设计

从图像处理方法的角度对红外图像中小目标的检测、跟踪进行了研究,给出了系统总体设计框图,整个检测算法的前端图像滤波预处理采用FPGA实现,识别跟踪采用DSP实现。详细介绍了系统各功能模块的设计方法。实验表明该系统实现了小目标检测跟踪的功能,工作稳定可靠。     

MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.     

一种高电源抑制比低温漂系数带隙基准电路

设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路。基于0.5μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频下接近110dB,100kHz时约为50dB,1MHz时约为40dB;通过高温时的高阶温度补偿,0℃~100℃范围内的温度系数低于1.0×10-5/℃。此外,电流温度补偿的运用可有效地减小电流温度系数,从而使得芯片中的振荡器的频率输出更加稳定。