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991.
层状结构的LiMnO2正极材料具有能量密度高、安全性能好、价格低廉和无毒性等优点,是下一代锂离子电池正极材料中强有力的竞争者。介绍了近年来国内外LiMnO2正极材料的的研究现状与进展,并对其结构特性、制备方法、体相掺杂和表面包覆进行了评述,提出了目前LiMnO2正极材料研究中尚存在的一些问题,并对其未来的发展前景进行了展望。  相似文献   
992.
针对棋盘格角点的检测,提出了一种运算速度快、定位精度高的Hessian矩阵子像素角点检测算法。简述了Hessian矩阵的原理、算法的执行流程和黑白棋盘格子像素坐标提取的基本方法。通过实验检测出了黑白棋盘格中的角点,得到了角点坐标,并利用二阶泰勒展开式得到了角点的子像素坐标。最后,在不同的噪声水平下,与Harris算法作比较,计算出提取误差与提取时间。实验证明,Hessian矩阵对黑白棋盘格角点检测的更加精确。该实验结果可应用于摄像相标定中。  相似文献   
993.
为有效提高雷达系统仿真效率,本文提出了一种雷达信号处理模块组件化设计方法。所提方法首先根据雷达信号处理各流程的独立性建立信号处理功能组件库;在此基础上根据所仿真雷达对象进行组件的选择与拼接可灵活构建出所需信号处理模块。最后通过基于Visual Studio 2013平台中构建的雷达组件化信号处理模块的系统试验证明了所提方法的有效性。  相似文献   
994.
常规的微波光子系统采用强度调制方式实现微波信号的电光转换,由于调制器采用马赫-曾德尔干涉结构(MZI),系统性能不仅受到自身正弦响应特性的制约,而且需要进行偏置点控制,因此存在动态范围受限、系统控制复杂以及3 dB固有损耗带来的效率不足的问题,而采用相位调制可避免该问题。围绕相位调制光传输链路,为了完成相位调制信号的光电解调,文章提出采用薄膜滤波器通过边带抑制与边带选通两种方式实现相位调制到强度调制的转换,并分析了链路射频性能与器件参数之间的映射关系。实测对比了相位调制与常规强度调制链路之间的传输特性,通过分析可知,在相同链路配置条件下,相位调制链路具有更高的传输效率,而且光滤波带来的均衡作用,使得相位调制链路的3 dB带宽比强度调制链路大两倍。  相似文献   
995.
基于Hu不变矩的尺度不变性,以图像的不变矩特征作为输入,建立基于批训练的改进型误差反向传播(BP)神经网络。运用基于Bayesian正则化的Levenberg-Marquardt算法优化误差函数计算精度,改进网络,实现参数最优化组合。通过MAT LAB环境,建立了基于不变矩的改进BP神经网络目标识别模型。实验表明,该方法实现了对目标的准确识别和对干扰图像的正确判断。  相似文献   
996.
文章对刚挠结合印制板用无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片的结合力进行了考察,结果表明增加PI表面粗糙度和减小PI表面接触角可以提高结合力,但一般不大于0.6N/mm;对PI表面进行等离子处理可以将结合力提高到客户要求的大于0.8N/mm;而提高无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片结合力的最有效的方法是使用高锰酸钾溶液对PI进行表面处理,在合适的条件下,结合力可达到1.15N/mm。  相似文献   
997.
通过钨粉表面化学镀铜,使其表面包覆一层均匀的诱导铜膜,以此制备W-15Cu电子封装材料。采用扫描电镜和双对数压制方程理论分析,研究钨粉表面化学镀铜含量对钨粉压制性能的影响,结果表明钨粉表面化学镀铜可改善其压制性能,且随化学镀铜含量的增加,压制同等生坯密度的制品压力增大。  相似文献   
998.
目的:探讨组蛋白乙酰化/去乙酰化在冬凌草甲素(oridonin,Ori)诱导Molt-4细胞凋亡中的作用.方法不同浓度Ori(2.5μmol/L、5μmol/L、10μmol/L、20μmol/L、40μmol/L)作用于Molt-4细胞,MTT法检测细胞增殖;瑞氏染色光镜下观察细胞形态学变化;Western blot检测Caspase-3、组蛋白去乙酰化酶1(histone deacetylase inhibitor,HDAC1)及组蛋白H3乙酰化水平.结果:Ori抑制Molt-4细胞增殖,诱导细胞凋亡,呈时间-剂量依赖性;光镜下Molt-4细胞染色质固缩,凋亡小体出现.Ori活化Caspase-3,下调HDAC1表达,使组蛋白H3乙酰化水平上调.结论:Orr可能通过提高组蛋白H3乙酰化水平,抑制HDAC1活性诱导Molt-4细胞凋亡.  相似文献   
999.
片上网络(Network-on-Chip ,NoC)作为解决片上系统存在的问题而提出的一种解决方案,正受到越来越多的关注,测试技术是NoC设计工作的重要组成部分。该设计针对NoC系统中SRAM存储器模块,研究了SRAM的故障模型,建立了片上网络通信架构的功能模型,复用片上网络作为测试存取路径,设计完成了基于M arch C+算法的BIST电路设计。该方案采用Verilog语言完成设计,并且在基于FPGA的NoC系统平台上实现了对SRAM的测试。实验结果表明,在面积开销增加较小的情况下,该方法具有较高的故障覆盖率。  相似文献   
1000.
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4%.  相似文献   
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