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991.
CMOS scaling into the nanometer regime 总被引:11,自引:0,他引:11
Yuan Taur Buchanan D.A. Wei Chen Frank D.J. Ismail K.E. Shih-Hsien Lo Sai-Halasz G.A. Viswanathan R.G. Wann H.-J.C. Wind S.J. Hon-Sum Wong 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1997,85(4):486-504
Starting with a brief review on 0.1-μm (100 nm) CMOS status, this paper addresses the key challenges in further scaling of CMOS technology into the nanometer (sub-100 nm) regime in light of fundamental physical effects and practical considerations. Among the issues discussed are: lithography, power supply and threshold voltage, short-channel effect, gate oxide, high-field effects, dopant number fluctuations and interconnect delays. The last part of the paper discusses several alternative or unconventional device structures, including silicon-on-insulator (SOI), SiGe MOSFET's, low-temperature CMOS, and double-gate MOSFET's, which may lead to the outermost limits of silicon scaling 相似文献
992.
利用ATM构造宽带INTERNET骨干网 总被引:2,自引:0,他引:2
本文分析了传统的Internet骨干网的组网方案纯路由器网络的成功及其所面临的挑战,提出在网络核心引入交换技术,通过采用ATM构造带宽Internet骨干网,可以构更大规模的网络,使网络运营者受益,并且为将来Interne提供综合业务奠定坚实的基础。 相似文献
993.
994.
995.
本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
996.
Huei Wang Kwo Wei Chang Tran L.T. Cowles J.C. Block T.R. Lin E.W. Dow G.S. Oki A.K. Streit D.C. Allen B.R. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》1996,31(10):1419-1425
A family of millimeter-wave sources based on InP heterojunction bipolar transistor (HBT) monolithic microwave/millimeter-wave integrated circuit (MMIC) technology has been developed. These sources include 40-GHz, 46-GHz, 62-GHz MMIC fundamental mode oscillators, and a 95-GHz frequency source module using a 23.8-GHz InP HBT MMIC dielectric resonator oscillator (DRO) in conjunction with a GaAs-based high electron mobility transistor (HEMT) MMIC frequency quadrupler and W-band output amplifiers. Good phase noise performance was achieved due to the low 1/f noise of the InP-based HBT devices. To our knowledge, this is the first demonstration of millimeter-wave sources using InP-based HBT MMIC's 相似文献
997.
998.
Eskildsen L. Goldstein E.L. Andrejco M. Curtis L. Shah V. Mahoney D. Zah C.E. Lin C. 《Electronics letters》1993,29(23):2040-2041
Phase-induced intensity noise from weak multiple reflectors is evaluated theoretically and experimentally in amplifier cascades without isolators. Rayleigh backscattering alone significantly limits the number of amplifiers in the span. Theory and experiment agree closely for a six-amplifier cascade.<> 相似文献
999.
Jing Yuan Yury Stepanenko 《International Journal of Adaptive Control and Signal Processing》1992,6(2):111-126
A new adaptive controller is presented here for rigid-body robotic manipulators. It is stable and robust with respect to a class of external disturbances. The robustness of the adaptive controller is established without the ‘slow-varying’ assumption and the computationally demanding regressor matrix. The control law consists of a non-adaptive PD control part and an adaptive control part. It uses two adaptive matrices to compensate two uniformly bounded coefficient matrices derived from the original dynamics. A α σ|q?|-modified adaptive law is designed to adjust the adaptive matrices. A Lyapunov-type stability analysis indicates that the closed-loop system is uniformly ultimately bounded. The tracking error and compensation error will eventually converge into a closed region, which can be made arbitrarily small by adjusting the controller parameters. Simulation results are included to demonstrate the performance of the proposed controller. 相似文献
1000.
本文介绍了以悬浮型速溶PHPAM为基础研制的低温油井堵水剂,讨论了影响堵水剂交联时间和成胶粘度的因素,制定了移动式弹性隔板堵水工艺并成功地应用于二连油田蒙古林砾岩油藏的油井堵水。该堵剂适用于30—60℃油井,交联时间可控、配制简便、快速、施工周期短。 相似文献