Al/SiO2/Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.     

S08VTiRE微合金深冲钢的研制

本文论述了SO8VTiRE 钢,添加微量RE、V、Ti元素净化钢液,改变夹杂物、碳化物形态;固定间隙元素,减少时效倾向;细化晶粒度提高屈服强度;无珠光体的铁素体基体组织,细小等轴性良好,各向同性。无大型连轧机组,也能生产出深冲成型性能优良的冷轧薄板钢。     

基于倒扣技术的Ka波段环形混频器

给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(R ogersDuro id3010,rε=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5 GH z有9 dBm的功率输入时,混频器有7 dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5 dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5 dB和31 dB的隔离度。