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(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响 总被引:7,自引:3,他引:4
研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。 相似文献
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对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。 相似文献
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SnO2压敏电阻的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Co2O3的含量对SnO2.Co2O3.Ta2O5系列压敏电阻性能的影响。实验发现,在温度为1350℃下烧成的99.2%SnO2+0.75%Co2O3+0.05%Ta2o5材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了SnO2.Co2O3.Ta2O5压敏电阻产生肖特基势垒的原因。按照这一模型,Co在肖特基势垒的的形成中起到一个关键作用。 相似文献
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