热处理对氧化锌纳米线场发射特性的影响

用场发射显微镜研究了在钨针尖上生长的氧化锌纳米线的场发射性能,得到了氧化锌纳米线的场发射像及场发射电流与电压关系,并讨论了氧化锌纳米线场发射像的形成原因和不同热处理条件对其场发射性能的影响,给出了氧化锌纳米线比较合适的热处理温度.     

碳纳米管的薄膜场发射

薄膜场发射特性是碳纳米管(CNT)研究的重要课题之一，它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本就CNT的场发射做一综合评述，主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等。     

将LB薄膜应用于集成器件中

本文介绍了LB膜的发展历史和现状,简介了LB膜在光、电器件以及在集成器件中的应用。对LB膜的制备方法和与LB膜特性有关的结构做了阐述。     

一种超高密度存储材料的四极质谱分析

三乙胺-四氰-p-醌二甲烷(TEA(TCNQ)2)单晶样品是一种可以用来进行超高密度信息存储研究的有机复合物材料.在扫描隧道显微镜(STM)针尖和TEA(TCNQ)2样品间加电压脉冲,可以在TEA(TCNQ)2样品表面形成规则排列的直径为纳米级孔洞阵列.为了阐明孔洞形成的机理,使用四极质谱计对其进行了残气分析.在负高压脉冲刻蚀TEA(TCNQ)2样品,测量到放出气体为TEA的86u主峰,证实了STM脉冲刻蚀形成的孔洞阵列主要是由于TEA(TCNQ)2气化分解的结果.测量TEA(TCNQ)2样品在不同热处理温度时的放气质谱,发现TEA(TCNQ)2样品在110℃时大量放出TEA气体.     

利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功

在 1× 10 -6～ 10 -5Pa环境压强下 ,经过高温退火处理 ,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜 ,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像 ;对碳化钨薄膜的场发射I V特性及Fowler Nordheim曲线进行测量和计算 ;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子 β ,利用Fowler Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为 3 79eV .     

激光驱动的钠钾锑光电阴极的稳定性研究

测得了ＹＡＧ激光（波长为１．０６μｍ和０．５３μｍ．脉冲宽度为５０ｐｓ）作用下的透射式和反射式钠钾锑阴极具有稳定光电发射最大激光光强并对其进行了讨论．当光强继续增加一定值时，阴极薄膜将被蒸发。     

聚乙烯晶态薄膜表面结构的研究

用离子团束－飞行时间质谱（ICB－TOFMS）系统制备了聚乙烯（PE）晶态薄膜。用透射电子显微镜（TEM）分析了样品结构，得到了结晶完善的晶片和（010）面的晶格结构条纹像。用扫描隧道显微镜（STM）分析了这种样品的表面结构，观察到了PE（001）和（010）面的表面形貌。     

金属的亚阀值光电发射

用光电发射的三阶模型推导了多光子光电发射的公式。用Nd:YAG调Q激光光源(hv=1.17eV,脉冲宽度为10ns)测量了金属Ag和Mo片的光电流与光强的关系。在2～12GW.Cm~(-2)功率范围内,测得Ag的5—光子效应和Mo的4—光子效应。理论与实验是—致的。     

银氧铯光电阴极的多光子光电产额

银氧铯光电阴极至今仍为一种重要的实用光电阴极,本文以银氧铯光电阴极为例,利用吴全德提出的有关模型和量子力学微扰论的结果,讨论了它的光强依赖关系,并导出了必要的公式;既为对实验结果的一种预测,也与现有实验结果符合很好。