青海祁漫塔格卡尔却卡地区铜多金属矿找矿预测

卡尔却卡位于东昆仑造山带西段祁漫塔格地区,伯喀里克—香日德印支期金、铅、锌（铜、稀有、稀土）三级成矿带的最西端,区域矿产呈NW—SE向带状分布。前人对区内研究侧重于矿物学、矿床学和岩 石地球化学,缺乏找矿预测研究。通过系统总结区内地质、矿产、物探、化探、遥感特征,建立了铜多金属矿找矿预测模型,开展了找矿预测。研究表明：①卡尔却卡地区典型矿床为铜多金属矿,主要成矿时代为印 支期,含矿层位为奥陶纪祁漫塔格群,含矿岩性为矽卡岩、大理岩,接触带为最主要的控矿构造、次为断裂,印支期中酸性侵入岩与区内成矿关系最为密切,矿石矿物为黄铜矿、闪锌矿、方铅矿、辉钼矿等。②硫化 物氧化带是重要的地表找矿标志;矽卡岩型多金属矿可引起正负伴生、强度大、形态规则、连续性好的强磁异常;局部重力异常达0.2～1.0 mGal,围岩密度较高时出现一级异常叠加更高的次级异常,围岩为较低密度 岩体时,表现为幅值较大的似尖峰状异常;激电异常往往表现为低阻高极化特征。③依据已知矿（化）点、矿化线索及重要地球物理、地球化学异常和遥感异常,结合含矿建造,容矿岩石、重要控矿构造特征,圈定 了6处多金属矿找矿远景区,可为区内开展下一步勘查工作提供借鉴。     

新型管道补口低温施工工艺

研究确定了新型管道补口技术在低温条件下的具体施工工艺。通过现场试验,解决了极低温度条件下新型管道补口防腐蚀技术的施工困难和涂层不固化等问题。现场应用表明,所确定的施工工艺具有施工方便、安全的特点,该工艺能够确保实现涂层优异的综合性能。     

SiON对Si基SiO2 AWG偏振补偿的数值分析

采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.     

SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析

采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG.     

单侧耦合16×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试

介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装.这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸,增加波导结构的弯曲半径,减少器件抛光及耦合时间,并降低器件成本.     

对同轴布拉格电栅传感特性的研究

对同轴电缆进行周期性钻孔形成同轴电缆布拉格电栅,通过三维电磁仿真软件AnsoftHigh Frequency Structure Simulator（Ansoft Hfss）对同轴布拉格电栅进行了建模和仿真,仿真结果和实验结果进行对比,频率特性基本一致,因此仿真结果可以作为电栅特性研究的依据。对于传感应用,文中对同轴布拉格电栅周期长度、钻孔尺寸等参数进行了优化,减小了线宽,提高了传感精度。研究为进一步实现基于同轴布拉格电栅的传感器研究及参数优化提供了理论指导和实验基础。     

单侧耦合16×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试

介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装.这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸,增加波导结构的弯曲半径,减少器件抛光及耦合时间,并降低器件成本.     

硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性.结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性.采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力,可以影响芯区附近的应力分布,但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性,增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性,但效果较差.调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题,而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小.     

硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近.根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率.比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出:波导的双折射效应主要是由于波导应力引起的,阵列波导光栅的偏振相关与中心波长的漂移是受阵列波导的应力分布的影响.     

偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率.结果表明由于这一侧向硅层的存在,使AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致,AWG的偏振相关波长明显减小