基于CRC迭代译码结束条件的Turbo码性能研究

Turbo 码译码时,在一定的范围内,增加迭代次数可明显提高码的性能,但增加迭代次数将增加译码延时,这将影响 Turbo 码在实时性要求严格的通信系统中的使用。文中研究了用循环冗余校验码(CRC:Cyclic Redundancy Check/Code)校验结果作为迭代译码结束条件时,Turbo 码迭代译码的性能。证明,使用CRC 校验结果作为迭代译码的结束条件是一种可行的方法。     

新世纪的香港印刷业

据官方统计数字显示，2000年香港印刷业的总生产值达到了298．22亿港币，在2001年9月共有4846家印刷厂，雇员4．3万余人。85％的厂家是不超过10人的小型和中型企业。     

印刷辅助器材应用现状

印刷辅助器材是指在印刷过程中用量小,但对印刷品质和稳定性影响非常大的一部分印刷器材,如印刷胶辊、橡皮布、润版液以及各类化学药品等.     

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

新不离道 故技生辉——介绍《景德镇陶瓷艺术名家作品展览》中的江西省陶瓷研究所的部份作品

一九八六年一月十八日至二十七日在香港尖沙咀新港中心三楼中艺展览厅举行了《景德镇陶瓷艺术名家作品展览》。这次共展出四百余件陶瓷艺术珍品,悉数为景德镇六十八位著名陶瓷艺术家的佳作,每件都附有作者的签名证明书。江西省陶瓷研究所这个成立仅仅半年     

X射线影像存储材料BaFxCl2—x：Eu^2＋的制备及其热释发光和光激励发光

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列X射线影像存储材料BaFxCl2-x:Eu^2 （x=0.90,0.95,1.00,1.05,1.10,1.15).cefpntyoF/Cl比值，研究了在X射线辐照后BaFxCl2-x:Eu^2 的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了BaFxCl2-x:Eu^2的光激励发光性质，给出了F／Cl比值与光激励发光强度的关系。     

离心泵空化故障识别的时域特征分析方法研究

分析离心泵壳体振动和进口水声信号特征是对其进行状态监测的重要技术之一。文章根据已开展的离心泵空化(汽蚀)试验,确定了空化(汽蚀)产生的特征频段,原始信号经过特征频段滤波后,在其时域信号中通过设定幅值阈值,提取出振动和水声信号的峰值,并对峰值均方根值和标准偏差值进行了计算。以此作为特征参量,对正常信号、扬程下降3%和性能崩溃三类不同强度的空化试验数据进行分类,同时分析了选择不同阈值参数的影响。结果表明:在给定的特征频段内,对水泵进口水声信号选择幅值阈值2,壳体振动信号选择幅值阈值3,既能较好地反映空化特征又能对该离心泵三类空化强度进行识别。     

切片双谱分析在离心泵故障诊断中的应用

运用双谱及切片双谱分析技术对离心泵不同状态下的振动信号进行分析表明,离心泵在正常运行、地脚螺栓松动和空化状态下的双谱图的特征有着明显的差别,可以通过双谱对故障信号进行初步分类,且双谱的对角切片和反对角切片可以显著降低噪声干扰,进一步提取出故障特征频率,故可对离心泵的故障信号进行准确的分类和诊断。     

交流提升与有源反馈补偿的无片外电容CMOS低压差稳压器

A capacitor-free CMOS low-dropout （LDO） regulator for system-on-chip （SoC） applications is presented. By adopting AC-boosting and active-feedback frequency compensation （ACB-AFFC）, the proposed LDO regulator, which is independent of an off-chip capacitor, provides high closed-loop stability. Moreover, a slew rate enhancement circuit is adopted to increase the slew rate and decrease the output voltage dips when the load current is suddenly switched from low to high. The LDO regulator is designed and fabricated in a 0.6 μm CMOS process. The active silicon area is only 770 × 472 μm2. Experimental results show that the total error of the output voltage due to line variation is less than ±0.197%. The load regulation is only 0.35 mV/mA when the load current changes from 0 to 100 mA.