全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率.     

布喇格光栅在温度测量中的应用

文中阐述布喇格光栅测温的新应用。将金属的热膨效应和布喇格光栅的弹光效应结合起来应用，提高布喇格光栅测温的灵敏度和测量范围。设计出实用传感器的给出实验图表。     

新型三向压电加速度传感器

本文介绍的一种新型压电传感器结构,只用单质量块做敏感元件,实现了剪切一压缩复合式三向加速度传感器。与常规的三质量块压电传感系统相比,具有体积小、重量轻、灵敏度高和频率响应宽等优点。本文根据传感器的力学模型,推导了这种单质量块新型结构在x,y和z三方向的工作方程式以及其传递函数,最后给出了三自由度灵敏度和频响特性的实验结果。     

空芯光子带隙光纤在甲烷检测中的应用

以多段级联的空芯光子带隙光纤(PBF)作为气体传感探头,以谐波检测技术作为信号处理方法,构建了一种新型全光纤甲烷监测系统。分析了甲烷在空芯内的扩散特性,实现了传感气室的优化设计。实验结果证实了该传感头用于甲烷检测的可行性。     

自制纳米金属掩模对AlGaInPLED光提取效率的改进

In conventional light-emitting diodes (LED’s), the external efficiency is limited by total internal reflection at the semiconductor-air interface. An LED with a textured top surface can increase the light-extraction efficiency. This paper reports a new method to fabricate AlGaInP-based nanorod light emitting diodes (LEDs) by using self-assemble metal layer nano-masks and inductively coupled plasma (ICP). Light power measurements indicates that the scattering of photons considerably enhance the probability of escaping from the nanorod LEDs. The light-intensity of the nanorod LED is increased by 34% for a thin GaP window layer, and by 17% for 8 μm GaP window layer. The light power of the nanorod LED is increased by 25% and 13%, respectively.     

薄膜AlGaInP发光二极管中不同反光镜的研究

本文计算了GaP/Au 反光镜, GaP/SiO2/Au 三层ODR and GaP/ITO/Au 三层ODR的反射率随角度的变化值。制作了GaAs衬底的AlGaInP LED,Au反光镜、SiO2 ODR和ITO ODR的薄膜AlGaInP LED。在20mA下,四种样品光输出功率分别为1.04mW, 1.14mW, 2.53mW and 2.15mW。制作工艺退火后,Au扩散使Au/GaP反光镜的反射率降至9％。1/4波长的ITO和SiO2透射率不同造成了两种薄膜LED光输出功率不同。ITO ODR中加入Zn可以大大降低LED的电压,但并不影响LED的光输出。     

沙棘酸凝乳的研制

以沙棘汁和牛乳为主要原料,配以蔗糖、稳定剂等辅料,研制出了富有营养和保健功能的沙棘果汁酸牛乳。通过发酵条件和物料配比的正交试验、稳定剂品种试验,优选出最佳工艺和配方。     

用水平仪测量小台面对竖直轴线垂直度的方法

为了测量转台上边缘小平台对回转轴线的垂直度误差,首先在转台上建立了一系列坐标系,在考虑竖直轴线对水平面的铅垂度、边缘台面对竖直轴线垂直度的情况下,得出了平台坐标系对基准坐标系的姿态.并建立了水平仪读数与该姿态之间关系.将水平仪放置在小平台上,旋转轴系,得出了数直轴线的铅垂度误差、然后固定轴系不动、水平仪在小平台上旋转,得出了小平台平面的水平度误差.根据这个水平度和竖直轴线的铅垂度误差计算出了小台面对竖直轴线的垂直度误差.最后对测量的垂直度误差进行了误差分析.     

AlGaN中的应变状态

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm 的AlxGa1-xN外延层中的应变状态. 实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小，并且在0.42时达到30%，此后随组分的增加变化较慢，在x＝1(AlN)时接近0. 在本实验条件中，由于GaN层处于压应变状态，导致与AlGaN外延层的失配变小，使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.