Crystal-Field Symmetry of LuminescenceCenter in Er-Implanted Silicon

Rare-earth doping of semiconductors has been intensively investigated with a view to it sapplication in optoelectronic devices.The presence of an incompletely filled 4f shell offers the attractive possibility of induced intrashell excitations,largely independent of the s...     

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．     

硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性.结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性.采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力,可以影响芯区附近的应力分布,但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性,增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性,但效果较差.调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题,而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小.     

硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近.根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率.比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出:波导的双折射效应主要是由于波导应力引起的,阵列波导光栅的偏振相关与中心波长的漂移是受阵列波导的应力分布的影响.     

光通信用的硅基长波长光电探测器

硅基长波长光电探测器是最有希望与微电子集成的一种用于光通信的光电器件。介绍了当前硅基长波长光电探测器的发展现状和趋势,讨论了提高硅基长波长光电探测器性能的途径。     

平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景

简述了阵列被导光栅复用／解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述．     

Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design

Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｄｉｖｉｓｉｏｎｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（ＷＤＭ）ｎｅｔｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍｉｓｖｅｒｙａｔｔｒａｃ－ｔｉｖｅｉｎｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃａｐａｃｉｔｙａ...     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

掺铒硅光致发光激子传递能量机制

铒离子在硅中呈现弱施主特性,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级.氧杂质与铒离子形成复合体,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道.提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型,建立了发光动力学速率方程,并进行了详细推导.发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关.指出铒离子-束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因.拟合PL测量实验结果表明：它们对应的激活能分别为6.6meV和47.4meV.     

不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响

本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性．发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善．随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降．认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致．辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论