GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双 异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命     

半导体激光器腔面SiO,Au涂层的研究

通过在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器前后腔面蒸镀ＳｉＯ减反射膜和ＳｉＯ、Ａｕ高反射膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，反射率、透射率由无膜时的３２％、６８％提高到９４％以上，提高激光输出功率和工作寿命。     

半导体激光器减反射膜的涂镀

通过对ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔前腔面涂镀ＳｉＯ工艺，分析涂层特性，透射率由无膜时的６９％提高到９２％，提高激光输出功率和工作寿命。     

GaAlAs激光器腔面减反向涂层的研究

通过对波长９１０ｎｍＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔面蒸镀ＺｒＯ２膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，透射率由无膜时６２％提高到９４％以上，提高了激光输出功率和工作寿命，对器件端面起到了保护作用。     

GaAlAs激光器腔面减反射涂层

通过对波长９１０ｎｍ ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔面蒸镀ＺｒＯ２膜的工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时６２％提高到蒸镀膜后的９４％以上，提高了激光器的激光输出功率和工作寿命，对器件端面起到了保护作用。     

半导体功率放大激光器及列阵的研究

研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器(LD - SLA)及列阵.器件为双异质结增异导引氧化物条形结构.采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与功率放大器(SLA)集成一体.输出功率提高一个数量级.并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使反射率和透射率由无膜时的31%、69%提高到94%以上.提高激光输出,保护器件端面.     

一种针对畸变印刷品字符校正的多项式自寻优改进方法

目的针对畸变印刷品字符校正过程中无畸变先验知识、传统方法效率低且精度差的问题,提出一种以多项式自寻优改进算法为核心的字符校正方法。方法将待测字符区域视为小篇幅图像,通过初次校正确定畸变区域,以待测图像与标准图像的最小差分结果为优化目标,利用菌群算法在畸变区域中进行校正控制点的自寻优运算,从而建立校正函数对字符畸变区域进行校正,并通过Matlab仿真加以实现。结果该方法平均校正精度低于0.6像素,运行时间低于0.12 s,达到了对畸变字符快速准确校正的目的。结论该自寻优改进方法克服了人工操作的弊端,对畸变字符进行了有效校正,有助于提高后续缺陷检测的精度和效率。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。