季铵碱树脂催化三甲氧基硅烷制备甲硅烷

为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明:在30～50℃和0.2～0.3 MPa条件下反应制备的粗甲硅烷气体中,H2、O2、Ar、N2、CH4的质量浓度分别为221.12、1.76、1.61、17.97、0.15μg/L,纯度达到99.9%;副产物四甲氧基硅烷中,金属杂质总质量浓度低于0.15μg/L,可用来制备高纯度硅溶胶;季铵碱催化三甲氧基硅烷歧化反应,反应条件温和,三甲氧基硅烷转化率96%,硅烷产率95%.催化剂易于购买,采用固定床反应器易于控制反应,易于连续加料,此工艺具有工业化生产价值.     

单个高温铝料卷冷却规律研究

高温铝料卷的强制通风冷却,能够大大减少料卷冷却时间,提高生产效率。本文根据工程实际,通过试验确定冷却送风方式,给出料卷准确的温降曲线。同时,运用CFD数值模拟,对比了自然冷却和机械冷却,的效果,为工艺人员确定高温铝料卷的冷却方式及料卷堆放场地的面积提供帮助。     

Li/Nb摩尔比变化对Zr:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的影响

同成分LiNbO3(LN)溶体中掺进摩尔分数为2%的ZrO2和质量分数为0.03%的Fe2O3,从不同Li/Nb摩尔比(0.94,1.05,1.20,1.38,0.85)熔体中用提拉法生长了系列Zr:Fe:LN晶体.测量了晶体的红外光谱、抗光损伤能力、指数增益系数和全息存储性能.结果表明:不同Li/Nb摩尔比的Zr:Fe:LN晶体红外光谱OH-吸收峰出现了3475,3478cm-1和3486cm-1 3个新峰.晶体的光折变性能都有不同程度的提高.近化学计量比Zr:Fe:LN晶体(Li/Nb的摩尔比为1.38)的抗光损伤能力比Fe:LN晶体提高2个数量级以上.指数增益系数是Fe:LN晶体的2倍,写入速度比Fe:LN晶体提高1个数量级,光折变灵敏敏度和动态范围皆提高4倍以上.近化学计量比Zr:Fe:LN晶体是优良的光折变和全息存储晶体材料.     

双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物水相合成方法的研究

以γ-氯丙基三乙氧基硅烷为原料,在水相中通过相转移催化合成了双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物(Si-69).讨论了反应温度、γ-氯丙基三乙氧基硅烷与多硫化钠的量之比、相转移催化荆的用量等对合成反应的影响.水相中合成Si-69的较佳工艺为:γ-氯丙基三乙氧基硅烷与多硫化钠的量之比为2.1:1,相转移催化剂的用量为γ-氯丙基三乙氧基硅烷质量的2%,反应温度80℃,可制得硫含量高于22.8%,纯度高达95%以上的Si-69.     

大颗粒超高纯度硅溶胶的制备及其表征(英文)

采用新工艺路线制备四乙氧基硅烷（tetraethoxysilane,TEOS）,以TEOS为原料制备超纯度大颗粒硅溶胶。TEOS是烷氧基硅烷法制备甲硅烷的副产物,经过精馏提纯以后,加入盐酸或氨水催化剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶。结果表明：TEOS和硅溶胶金属杂质离子总含量都低于0.3mg/L。用盐酸催化TEOS水解制备溶胶,胶粒直径达到129nm;用氨水催化,胶粒直径达272nm。当物质的量比n（C2H5OH）/n（TEOS）=6,n（H2O）/n（TEOS）=5,搅拌速度为250 r/min,制备的硅溶胶胶粒均匀度最好。加水不搅拌,胶粒很容易发生团聚,但是,当搅拌速率高于500 r/min时,胶粒出现团聚现象。     

NGB下的视联网——全交换数字电视打造家家户户的高清视频通信(上)

本文阐述了在NGB下的视联网R全交换式数字电视技术以及给三网融合带来的全新机遇。新三网融合的核心不是简单重复已有的业务模式,而是诞生全新的、可以普及到家家户户的高清视频通信。全交换的视联网R在保留所有交互式电视功能的同时,提供几乎无限量的全新视频业务,开启了大规模的高清视频通信时代。视联网R可以直接在广电现有的EPON网络上部署,其发展可以遵循"先商用后民用"的模式,是广电运营商主导三网融合难得的历史机遇。     

AlxGa1-xAs三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂－柠檬酸,电共沉积ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ三元化合物,用能谱分析仪进行成分分析,获得化学计量比接近Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ的三元化合物半导体材料。     

镱薄膜应力传感器的工艺研究

介绍了镱薄膜应力传感器的工艺设计和制造过程,通过传感器的静态,动态标定及材料测试,验证了新的工艺设计和制造过程是正确可行的。     

废旧Cd/Ni电池回收利用的研究

废旧Cd/Ni电池粉碎、煅烧后再与醋酸反应 ,得含Ni2 + 、Cd2 + 和Fe2 + (Fe3+ )混合体系。通过氧化Fe2 + ,调 pH和过滤除去铁。加NaOH制得Ni(OH) 2 和Cd(OH) 2 的混和物 ,并由XRD实验得以证实。将上述混和物分别添加到密封Cd/Ni电池的正负极中 ,检测了正负极活性物质利用率、放电电位、1C电流和 - 1 8℃放电容量 ,结果表明 :含上述混和物的电极与对比电极具有相同的性能。此种回收利用废旧Cd/Ni电池方法的特点在于无须分离Ni2 + 和Cd2 + 即可实现再利用     

横向固相外延生长及其影响因素的研究

对非超高真空条件下对在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射沉积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。