SnO_2掺杂对YBa_2Cu_3O_x超导体J_c的影响

研究了SnO_2掺杂对YBa_2Cu_3O_x高温超导体临界电流密度J_c的影响,并得出掺杂量及烧结温度对J_c的影响规律。适当的低掺杂[w=(1～2)×10~(-2)]有利于J_c的提高,对于w=2×10~(-2),在940℃下烧结的样品,其J_c提高了一倍多。而SnO_2高掺杂(w>2×10~(-2)),则会导致J_c特性的恶化。通过对材料的SEM及其密度等的分析,发现了SnO_2掺杂对材料密度、晶粒取向、气孔率、液相及杂相等显微结构的影响特点,从而对我们得到的实验规律作了较合理的解释。     

高镉锑酸盐半导瓷的结构与性能研究

本文着重叙述了一种合成的新型氧化物陶瓷半导体,确定了其化学分子式、缺陷结构、半导体类型、电导与温度的关系以及氧敏特性。这种新型半导体陶瓷在300～400℃之间可望成为一种对环境温度很不敏感的氧检测器件。     

新型锑酸镉半导瓷Cd_6Sb_2O_(10)的相变

本文报道了对新型锑酸镉半导瓷Cd_6Sb_2O_(10)进行差热分析、热失重分析和高温X射线衍射分析的实验结果,并进行了系统地分析和讨论。结果表明,Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生一结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,从低温相向高温相转变时,相变温度为246℃,从高温相向低温相转变时,相变温度为228℃。     

复合缺陷对钛酸锶铋材料介电特性的影响

本文研究了组份为(1-x)SrTiO_3+x(Bi_2O_3·3TiO_2)其中x=0-20mol％的介质陶瓷的介电特性,发现随着Bi_2O_3·3TiO_2含量增加,材料的介电特性变化很大,其极化机制也发生改变。在4≤x≤16mol％范围内,介质具有高介电常数、低损耗及从10~2—10~7Hz频率区域内平稳的频谱特性等优良介电性能。文章较详细研究了该区域的缺陷机构,采用正电子湮没技术证实了该区域内随铋含量增大,材料中出现了锶空位与铋替代离子耦合在一起的复合缺陷[Bi_((?)r)·V_((?)r)]′及[2Bi((?)r)·V_((?)r)](?),这些复合缺陷的存在导致了弱束缚Ti~(4+)离子形成,而弱束缚钛离子的位移极化及其弛豫特性可能提供了该区优良的介电性能。     

半导体陶瓷电容器

论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３ 型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系     

Cd_2Sb_2O_(6.8)半导体陶瓷的导电机理

本文对Cd_2Sb_2O_(6.8)半导体陶瓷在-78～ 1000℃温区及氧、氮、氩、空气、甲烷、CO/CO_2等气氛中进行了导电性能的测试研究。分析了过量氧化镉在品格中的存在形式、氧空位与气氛的关系、不同温区内的导电机理及有关缺陷结构。计算出相应的激活能与迁移率。 文中还指出了这类半导体陶瓷的可能应用场合与尚待解决的问题。     

La1—xSrxFeO3的导电及感湿机理研究

本文研究了La_(1-x)Sr_xFeO_3的导电特性和湿阻特性.通过正电子湮没谱的研究和导电特性的分析得出以下结论:La_(1-x)Sr_xFeO_3的体导电属“跳跃式”机制,电导率的大小由[Fe~(4+)]决定;吸附水分子的作用类似施主,它使表面Fe~(4+)/Fe~(3+)净比率降低,造成表面载流子浓度减少,使得La_(1-x)Sr_xFeO_3的表面电阻随相对湿度的增大而增大.     

SrTiO3压敏电阻的化学蜕变

借电化学注氢的方法研究了 SrTiO_3 压敏电阻器在潮湿环境中的蜕变机理,即以 SrTiO_3 压敏电阻器的电极作为阴极在 0.01 mol/L NaOH 的溶液中进行水的电解。结果表明:该处理使其漏电流和介质损耗增加,非线性变差,丧失压敏特性。但通过一定的热处理之后,其压敏性能又可恢复。水电解产生的 H 原子向陶瓷颗粒边界扩散、化学吸附,破坏其绝缘阻挡层,造成失效。并对蜕变机理进行了探索。     

气敏半导瓷及其敏感机理(上)

气敏半导瓷的阻值随所处环境气氛的不同而变化。不同类型半导体陶瓷,将对某一类或某几类气体特别敏感。一般,气体与敏感陶瓷的作用部位只限于表面,其敏感特性和敏感体的烧结形式有很大关系。本文从氧化锡的显微结构、对不同类型氧吸附的表面过程以及添加剂的作用机理等方面,分析了氧化锡等气敏陶瓷的气敏特性;从结构上阐明了γ-Fe_2O_3和ZrO_2的导电特性,对其气敏特性的形成和作用作了科学的分析。     

香港城市大学物理和材料科学系，香港九龙）

对铁电陶瓷纳米粉粒的获得，铁电陶瓷纳米粉粒的粒度效应及其相关机理作了比较系统的叙述，进而对铁电陶瓷中微粒结构形成、微粒结构与铁电性能的关系进行分析，认为现在是将纳米技术用于电子材料的时机，应该找出常用的电子陶瓷材料的介电性能最佳的微粒尺寸分布区段，以利于工业应用及以后研究工作的发展。