天然胶乳床垫和枕芯的发展

综述介绍天然胶乳床垫和枕芯的生产工艺、产品特性以及存在的问题。天然胶乳床垫和枕芯的生产工艺主要有邓禄普法和塔勒莱法胶乳发泡工艺,塔勒莱法工艺先进,但受设备结构复杂和投资大的限制,只有少数公司采用;邓禄普法性价比高,工艺趋于完善,被大多数厂家采用。天然胶乳床垫和枕芯具有优异的弹性、支撑性、透气性和抑菌抗螨功能,与睡眠者有良好的贴合性,可提高睡眠质量。巨大的市场需求导致天然胶乳床垫和枕芯产品存在部分假冒伪劣和粗制滥造产品,需要监管部门尽快制订产品标准并加强管理,引导和规范天然胶乳床垫和枕芯生产行业健康发展。     

天然胶乳和硅橡胶气囊导尿管的成型工艺与应用

气囊导尿管广泛应用于临床医疗,对比天然胶乳与硅橡胶气囊导尿管的性能、成型工艺和应用。天然胶乳具有优异的综合性能,采用多次浸渍工艺可制作各种规格和型号的气囊导尿管,但天然胶乳制品生物相容性差,天然胶乳气囊导尿管临床上存在过敏症、亚硝胺诱导致癌和残留硝酸钙刺激等安全风险。硅橡胶气囊导尿管临床上生物相容性和安全性较好,置留时间较长,但价格相对偏高。两种气囊导尿管各有市场需求,预计硅橡胶气囊导尿管将逐渐替代天然胶乳气囊导尿管。     

基于有序介孔碳/PDDA固定化漆酶的邻苯二酚传感器性能研究

采用有机交联水性环氧树脂为碳源,以SBA-15为模板,制备了有序介孔碳(OMC),并对其电化学性能进行研究。透射电镜结果表明其具有典型的二维有序六角介孔结构,孔径大约为3nm。电化学测试结果表明OMC/Lac/Au电极对邻苯二酚具有很好的电催化氧化活性。将OMC应用于构建漆酶生物传感器,结果表明,传感器对邻苯二酚的线性检测范围为0.67~8.59μmol/L,灵敏度为0.349A/(mol/L),检测限为0.117μmol/L。     

结合位置指纹和行人航迹的室内定位技术

主要对室内定位技术展开研究,首先通过手持智能设备收集指定范围样本点的坐标及wifi热点信息;然后应用位置指纹定位方法进行绝对定位;为了提高行走过程中定位的准确性和实时性,采用行人航迹推算算法,即通过手机传感器采集并经处理的数据进行步频检测、步长估算和方向检测,实现相对位置变化的估算.行人航迹算法克服位置指纹定位的不稳定性,而位置指纹定位算法及时调整行人航迹算法带来的累积误差.实验结果表明两种室内定位技术的结合有效提高了室内定位的准确性,能充分应用到实际生活中.     

逆工程设计开发系统及其应用概述

一、 引言企业在新形势下的市场竞争力可描述为：企业市场竞争力＝新产品开发能力×良好的管理机制×适度的自动化在这个公式中,企业的新产品开发能力在其市场竞争力中具有决定意义,后两者是为新产品开发（快速开发、快速上市、快速交货）服务的。再好的管理,再高度的自动化,没有开发新产品以适应市场需求的能力,企业在市场中也是没有竞争力的。要提高企业的新产品开发能力,就必须采用最先进的设计、开发和制造手段,逆工程设计开发系统便是目前提高企业的新产品开发能力的先进手段之一。二、逆工程设计开发系统的概念和技术流程逆工…     

抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究

针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明:相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.     

基于IMS的VoLTE语音业务实现方案的研究及优化

针对TD-LTE网络、无线接入网E-UTRAN以及EPC的网络结构功能上的变化,指出TD-LTE语音业务面临的问题,分析基于IMS网络的VoLTE/SRVCC语音实现的系统架构,详细说明主叫VoLTE to VoLTE语音业务的信令流程,并提出一种信令优化方案,实践证明该方案能够降低VoLTE语音通话时延,有效提升4G用户语音业务感知.     

改善胶乳三腔双囊胃管质量的生产工艺研究

以浓缩天然胶乳并用20份MG49天甲胶乳作胃管基础管身胶料可有效提高管身硬度和撕裂强度,并解决纯天然胶乳管身硬度不足、临床不易插管的难题,而对产品工艺性能及其他性能无不良影响。用"硝酸钙+工业酒精+表面活性剂"代替"硝酸钙+生粉附型剂+表面活性剂"作凝固体系,可改善胃管球囊胶膜厚度的均匀性。对胃管球囊内表面做适度氯化处理,可克服球囊与胃管管身产生的粘连或粘伤。适当改变绑线位置可有效减少胃管球囊胶膜出现的龟裂纹;球囊绑线处涂覆氯仿值二中~三中(见表9注)、总固体25%~35%的胶料3~4次,可获得较好涂胶效果。     

大型空分装置控制方案的实现

河南煤化鹤煤煤化工空分装置采用世界先进的法液空工艺,生产能力65 000 Nm3/h高压氧气,其DCS系统选用世界知名的FOXBORO IAS系统,ESD系统采用GE PAC8000系统,ITCC采用TRICONEX的TRICON系统.自2012年投运以来,装置实现了长周期满负荷生产,自控率达到99.8％.本文介绍了整个控制系统的构成.     

用于TFT有源层的Ar~+激光结晶a-Si:H的性质(英文)

This paper demonstrates the technological approach to the high performance a-Si:H thin film transistor (TFT) fabricated by the Ar+ laser-crystallization technique on the fused quartz substrates. The a-Si:H films for the active layer of TFT were prepared in a capacitively coupled glow-discharge deposition system. The films were crystallized by CW Ar+ laser scanning at low speeds (3-5 cm/s). The laser power ranges from 2.5W to 5.0W. The TEM cross-section micrograph illustrates that a liquid phase laser crystallization region (LP-LCR) has defect-free of structure with a grain size of the order of handreds of micron. In the Raman spectrum of LP-LCR, 475 cm-1 peak of a-Si:H disappears and 520 cm-1 peak of c-Si becomes stronger and sharper. The value of conductivity in the layer of LP-LCR is five orders of magnitude larger than the one in asepositedd a-Si:H film. We also discussed some problems to be overcome in application of a-Si : H TFTs in LCD.