TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究

本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。     

THE SULFUR INCORPORATION AND THE GROWTH OF GaAs SUBMICROMETER EPILAYERS IN Ga-AsCl_3-H_2 SYSTEM

Submicrometer epilayers have been grown in Ga-AsCl_3-H_2 system using elemental sulfur as adopant.The mechanism of sulfur incorporation was discussed on the basis of surface adsorption.Ithas been shown that the electrical properties of single epilayers are typically n=1-2×10~(17)/cm~3,thick-ness 0.4 μm and breakdown voltage about 7—10V.The width of interface region in single andmultilayer structures is about 0.1μm.The epilayers obtained have been used to fabricate the microwave devices,such as Gunn diodes,varactors,and far infrared detectors.     

氟在高炉冶炼中的行为——Ⅰ.氟对高炉型熔渣粘度、熔化性及脱硫力的影响

在本文中,我们报告了含氟高炉型熔渣的的粘度、熔化性和脱疏力的研究结果。所用熔渣包括坩埚冶炼渣与合成渣,含氟化钙最高达40.7%。试验数据指出氟能显著地降低熔渣的粘度与熔化温度,但对硫在渣、铁间的平衡分配影响较小。因此作为初步估计,在计算硷度时可以将氟化钙视为中性。根据本文试验结果,我们从熔渣的离子结构观点讨论了氟影响熔渣性质的机理。     

VAPOUR PRESSURE OF CuCl-AgCl MELTS

<正> 熔融CuCl的蒸气压虽有不少研究工作者进行了测定,但结果不甚一致。AgCl-CuCl熔体的蒸气压则尚未见报道。本文目的为用载而法测定CuCl和AgCl-CuCl熔体的蒸气压,并根据AgCl-CuCl熔体中组份的已知活度,讨论该体系的蒸气状态。     

基于增量型本构关系的深埋巷道开挖面附近围岩统一解

为了准确地评价矿山巷道开挖面附近围岩的安全性,基于统一屈服准则和增量型本构关系,分段地分析开挖面"空间效应"影响范围内的围岩稳定性;通过算例分析巷道各项安全性指标(即多种屈服准则解如:原岩应力阈值、围岩应力和位移分布、塑性区边界线)受岩石抗剪强度参数以及应力卸载或集中等的影响程度,由现场实测数据验证;为研究受开挖面"空间效应"影响的区段,引入了"虚拟支护阻力",并给出"空间效应"影响段围岩的各项安全性指标的解析解.工程实践表明,本文计算结果符合实际.     

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究

用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。     

AgCl-CuCl熔体中的活度

熔盐体系中的活度通常用电动势法测定。但当构成熔盐的金属的电负性相近时,由于金属与熔盐的相互作用而使该法受到一定限制。在这种情况下,用蒸气压法或化学平衡法可以避免上述困难。作为一个例子,本文用化学平衡法研究了AgCl-CuCl熔体中的活度。     

电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。     

砷化镓低温气相外延的研究

本文研究了GaAs低温气相外延过程和评价了外延层的质量。对低温外延时的表面形貌,生长速率,剩余杂质浓度,电子迁移率,深能级杂质和纵向浓度分布进行了讨论,并与高温外延进行了比较。结果表明,低温外延是制备较高质量外延层的一种可取方法。     

硫在用镁处理过的铸铁中的情况(摘要)

在用镁处理生铁时,发生去硫作用而形成的硫化镁,事实上不溶于铸铁,它浮在铁水的上层,但并不转入浮渣内。在铸件中的硫化镁杂质,就成了暗灰色的斑点。在用镁处理铸铁的过程中,硫化铁及硫化锰中疏的平衡含量保持在十万分之几的范围内。而和化学分析的数值比较,所多余的硫在生铁中就成为小的硫化镁杂质。超过平衡量成为硫化铁形态的少量的硫,它完全不影响铸铁中硫的总含量,但都说明镁并没有完全使铸铁饱和。铸铁在这种情况下,可能全部或部分具有片状石墨。