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半金属 Fe3O4薄膜的制备工艺探索 总被引:3,自引:0,他引:3
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中. 相似文献
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从静磁表面波MSSW各向异性理论模拟出发,提出了通过调节磁场方向来实现对MSSW滤波器带宽调制的方法,并由实验得到验证:即在微带换能器宽度一定时,可以增加(或减小)磁场与波矢k之间的角度来减小(或增大)滤波器带宽,从而简化和精确静磁表面波滤波器的设计. 相似文献
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基于Herzer理论,对Co基薄带材料的纳米晶化及软磁性能改善进行了大量实验研究,解决了晶化中薄带变脆和内层绝缘磁耦合问题,成功地研制出用于射频域的抗EMI无源滤波器。测试结果表明其有着优良的抗噪性能。 相似文献
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